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製品の説明:1700V 1000mΩ 5.3A Gen 2 ディスクリートSiC MOSFET
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:1200 v、160 mオメガ17 a、to−247−4パッケージを第3世代の分立炭化ケイ素mosfet
パッヶージ:TO-247-4製品の説明:1200V、21mΩ、114A車載用炭化ケイ素MOSFETトランジスタ、TO-263-7
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:1200 v、160 mオメガ17 a、to−247−3実装、第3世代分立炭化ケイ素mosfet
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:1200V 350mΩ 7.6A 第3世代ディスクリートSiC MOSFET
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:1200V、2.29mΩ、62mm HM 高性能ハーフブリッジSiCパワーモジュール
パッヶージ:モジュール製品の説明:650V 120mΩ 21A 第3世代ディスクリートSiC MOSFET
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:1200V 75 mΩ 30A 第3世代ディスクリートSiC MOSFET
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:1200V、8mΩハーフブリッジ炭化ケイ素パワーモジュール
パッヶージ:モジュール製品の説明:650V 60mΩ 36A 第3世代ディスクリートSiC MOSFET
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:650 V, 10 A, to-220-2パッケージ,第6世代分立カーバイドショートダイオードです
パッヶージ:TO-220-2製品の説明:650 V, 10 A, to-263-2パッケージ,第6世代分立カーバイド・ショートダイオードです
パッヶージ:TO-263-2製品の説明:650 V, 30 A, to-247-3パッケージ,第6世代分立カーバイド・ショートダイオードです
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:1200V炭化ケイ素(SiC)MOSFETトランジスタ、TO-263-7
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:1200V 32mΩ 63A 第3世代ディスクリートSiC MOSFET
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