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C2M0080120D

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル1200 V 36A (Tc) 192W (Tc) to-247-3です。

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C2M0025120D

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル1200 V 90A (Tc) 463W (Tc) to-247-3です。

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0016120K1

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル1200 V 115A (Tc) 556W (Tc) to-247-4です。

パッヶージ:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0040120K1

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル1200 V 66A (Tc) 326W (Tc) to-247-4です。

パッヶージ:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0040120D

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル1200 V 66A (Tc) 326W (Tc) to-247-3です。

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0015065D

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル650 V 120A (t) 416W (t) to-247-3です。

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
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25 +
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>=100
C3M0065100K

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔N通路1000 V 35A (t) 113.5W (t) to-247-4 lです

パッヶージ:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
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>=100
C3M0065090D

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル900 V 36A (t) 125W (t) to-247-3です。

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
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>=100
C2M0045170D

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル1700 V 72A (Tc) 520W (Tc) to-247-3です。

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
1 +
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25 +
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>=100
C3M0021120K1

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル1200 V 100A (t) 469W (t) to-247-4 lです

パッヶージ:TO-247-4
10起
3000
1 +
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50 +
>=100
E3M0021120K

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル1200 V 104A (t) 405W (t) to-247 -4Lです

パッヶージ:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0075120K

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル1200 V 32A (t) 145W (t) to-247-4 lです

パッヶージ:TO-247-4
10起
3000
1 +
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>=100
E4M0013120K

製品の説明:炭化ケイ素(sic) mosfet 1200 v、オメガ13 m、153 a、to−247−4

パッヶージ:TO-247-4
10起
3000
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>=100
C2M0280120D

製品の説明:炭化ケイ素 MOSFET SIC MOSFET 1200V RDS ON 280 mOhm

パッヶージ:TO-247-3
10起
5000
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E3M0060065D

製品の説明:650V、60mΩ、37A炭化ケイ素パワーMOSFETトランジスタ TO-247-3

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
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E3M0060065K

製品の説明:650V、60mΩ、37A炭化ケイ素パワーMOSFETトランジスタ TO-247-4

パッヶージ:TO-247-4
10起
2000
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