商品名称:炭化ケイ素(SiC)MOSFET
ブランド:Wolfspeed
年:24+
パッヶージ:TO-263-7
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:2000 件
C3M0075120Jは、Nチャネルエンハンスメント1200V炭化ケイ素(SiC)MOSFETトランジスタです。
特長
温度に対して安定したRDS(ON)
独立したケルビン・ソース・ピンを持つパッケージ・オプションで入手可能
超高速スイッチング
ヒートシンク要件の低減
利点
駆動が容易(+15Vゲート駆動)
システムレベルの効率向上
堅牢なボディ・ダイオード(外付けダイオード不要)
アバランシェ耐久性
用途
ソーラー・インバータおよびエネルギー貯蔵
車載および高速DC EV充電システム
モーター制御およびドライブ
溶接および誘導加熱
補助電源
高電圧DC/DCコンバータ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
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答え:現在、私たちの自営代理店 TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。
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答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
Wolfspeed(NYSE: NYSE)は、炭化ケイ素とGaN技術の世界的採用におけるマーケットリーダーです。 ウォルフスピードの製品ポートフォリオには、電気自動車、急速充電、5G、再生可能エネルギー、ストレージ、航空宇宙・防衛など、幅広いアプリケーションに対応する炭化ケイ…
HAS310M17BM3
HAS310M17BM3 は、1700V 310A 炭化ケイ素ハーフブリッジモジュールです。HAS310M17BM3の特長業界標準62mmフットプリントハウジング CTI ≥ 600 (材料グループ I)EN45545-2 R22/23 HL3に準拠高湿度動作 THB-80 (HV-H3TRB)SiCに最適化された低インダクタンス設計超低損失、…CAB6R0A23GM4T
CAB6R0A23GM4T は 2300V、6mΩ、GM パッケージ、ハーフブリッジ SiC パワーモジュールです。CAB6R0A23GM4Tの特長業界標準フォーム・ファクタの最先端炭化ケイ素MOSFET技術沿面抵抗を低減する高CTIハウジングNTC内蔵プレスフィット接続熱インターフェース材を事前に塗布し…CAB7R5A23GM4T
CAB7R5A23GM4T は 2300V、7.5mΩ、GM パッケージ、ハーフブリッジ SiC パワーモジュールです。CAB7R5A23GM4Tの特長業界標準フォーム・ファクタの最先端炭化ケイ素MOSFET技術沿面抵抗を低減する高CTIハウジングNTC内蔵プレスフィット接続熱インターフェース材を事前に塗布…CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T は 2300V、5mΩ、GM パッケージ、ハーフブリッジ SiC パワーモジュールです。CAB5R0A23GM4Tの特長業界標準フォーム・ファクタの最先端炭化ケイ素MOSFET技術沿面抵抗を低減する高CTIハウジングNTC内蔵プレスフィット接続熱インターフェース材を事前に塗布し…C3M0280090J
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c3m0160120dは3世代の平面mosfet技術の1200 vに基づいて、160 m、オメガ17 a炭化ケイ素パワーmosfetを遮断する电圧、高い低導通抵抗と静電容量高速のスイッチ。小型のto-247-3パッケージを採用した。典型的な用途としては、再生可能エネルギー、高電圧直流/直流変換器、ス…連絡先電話:86-755-83294757
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