ブランド:
製品の画像
規格型番
ブランド
パラメータの説明
発注量
在庫品
購入数量
単価
操作
製品の説明:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)5μs Short-Circuit Tolerance,650 V30 A,FRD Built-in,TO-247 GE
パッヶージ:TO-247GE製品の説明:NチャネルSiCパワーMOSFETトランジスタ
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:NチャネルSiCパワーMOSFETトランジスタ
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:自動車用NチャネルSiCパワーMOSFETトランジスタ
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:NチャネルSiCパワーMOSFETトランジスタ
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:1700 V 3.7A NチャネルSiCパワーMOSFETトランジスタ
パッヶージ:TO-3PFM-3製品の説明:650V 118A NチャネルSiCパワーMOSFETトランジスタ
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:1200 V、567 A、ハーフブリッジトレンチMOS内蔵フルSiCパワーモジュール
パッヶージ:Module製品の説明:LCDドライバ 3線式+KEYOUT 2.7-6V VQFP80 ライン/フレーム
パッヶージ:VQFP-80製品の説明:1200V 69A 車載用フィールドストップトレンチIGBTトランジスタ
パッヶージ:TO-247N-3製品の説明:1200V 69A 車載用フィールドストップトレンチIGBTトランジスタ
パッヶージ:TO-247N-3製品の説明:1200V 69A 車載用フィールドストップトレンチIGBTトランジスタ
パッヶージ:TO-247-4製品の説明:1200V 69A 車載用フィールドストップトレンチIGBTトランジスタ
パッヶージ:TO-247-4製品の説明:ナノcap、ecogan、650 vオメガ2 mhz gan hemt出力70 m級のic
パッヶージ:VQFN-46製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET表面装着型Nチャンネル1200 V 17A (Tj) to-263 -7LA
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET表面装着型Nチャンネル1200 V 17A (Tc) to-263 -7LA
パッヶージ:TO-263-7連絡先電話:86-755-83294757
企業QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
サービス時間:9:00-18:00
連絡先メールボックス:sales@hkmjd.com
会社の住所:広東省深圳市福田区振中路国利ビル1239~1241号室
CopyRight©2022 明佳達著作権の所有 広東ICP備05062024号-12
公式QRコード
友情リンク: