商品名称:ハーフブリッジパワーモジュール
ブランド:Wolfspeed
年:24+
パッヶージ:モジュール
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
CAS480M12HM3 - 1200V、2.29mΩ、62mm HM 高性能ハーフブリッジSiCパワーモジュール
技術的特徴
高性能62mmフットプリント
低インダクタンス(4.9nH)設計により、損失を低減した高速スイッチングと高効率を実現
高ジャンクション温度(175 °C)動作
第2世代および第3世代SiC MOSFETの両方で利用可能な構成
軽量AlSiCベースプレート
窒化ケイ素絶縁体による堅牢な熱サイクル能力
用途
鉄道および牽引
太陽および再生可能エネルギー
EV充電器
産業オートメーションおよび試験
医療用電源
モータドライブ
CAS480M12HM3 - ウルフスピードは、62mmモジュールのベースプレート互換性を維持しながら、電力密度に敏感なアプリケーションにSiCの利点を提供するHMパワーモジュールプラットフォームを開発しました。HMプラットフォームのSiC最適化パッケージングにより175℃の連続接合動作が可能で、高信頼性窒化ケイ素(Si3N4)パワー基板により過酷な条件下での機械的堅牢性を確保し、軽量なAlSiCベースプレートを採用しています。HM3は、医療用電源、航空宇宙、トラクション・ドライブなどの要求の厳しいアプリケーションに最適です。
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
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Wolfspeed(NYSE: NYSE)は、炭化ケイ素とGaN技術の世界的採用におけるマーケットリーダーです。 ウォルフスピードの製品ポートフォリオには、電気自動車、急速充電、5G、再生可能エネルギー、ストレージ、航空宇宙・防衛など、幅広いアプリケーションに対応する炭化ケイ…
C3M0280090J
C3M0280090Jは900 Vの炭化シリコンパワーMOSFETで、広い走行距離とドレインとソース間のギャップ距離(~8mm)を持っています。このデバイスは高週波パワーエレクトロニクス用途に最適化されています。典型的な用途は、再生可能エネルギー、照明、高電圧DC/DCコンバータ、電…C3M0160120D
c3m0160120dは3世代の平面mosfet技術の1200 vに基づいて、160 m、オメガ17 a炭化ケイ素パワーmosfetを遮断する电圧、高い低導通抵抗と静電容量高速のスイッチ。小型のto-247-3パッケージを採用した。典型的な用途としては、再生可能エネルギー、高電圧直流/直流変換器、ス…C3M0350120J
C3M0350120Jは第3世代平面MOSFET技術に基づいて1200 V、7.2 A炭化シリコンパワーMOSFET、高遮断電圧、低オン抵抗、低容量高速スイッチングです。小型のto-263-7パッケージを採用した。典型的な用途としては、再生可能エネルギー、高電圧直流/直流変換器、スイッチドモード…C2M0080120D
C2M0080120Dは1200 V、36 A炭化シリコンパワーMOSFETで、クラスの中で最も低いスイッチング損失と超高スイッチング周波数を持って、世界レベルの効率を提供します。これらのMOSFETは最適化されて、エネルギー効率の重要な高圧アプリケーションに適しています。例えば、高…C2M0025120D
c2m0025120d 1項は1200 v、オメガ25 m 炭化ケイ素パワーmosfet、同種のうち最低のスイッチを持つ読んだり、超スイッチング周波数の世界の効率を提供している。これらのMOSFETは最適化されて、エネルギー効率の重要な高圧アプリケーションに適しています。例えば、高圧電源…C3M0016120K1
c3m0016120k1は1200 v、工業基準に合うデザインの16 mオメガ炭化ケイ素パワーmosfet、高速スイッチング特性を持つ、静電容量が低く、高電圧をさえぎり、導通抵抗が低い。Wolfspeed 1200 V炭化シリコン(SiC)MOSFETシリーズは、UPS、モーター制御とドライブ、スイッチドモー…連絡先電話:86-755-83294757
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