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C6D50065H

製品の説明:650V、50A炭化ケイ素(SiC)ショットキーダイオード、TO-247-2

パッヶージ:TO-247-2
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB530M12BM3

製品の説明:1200V 2.67mΩ 62mmハーフブリッジSiCパワーモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D16065H

製品の説明:650 V, 16 A, to-247-2パッケージ,第6世代分立カーバイドショートダイオードです

パッヶージ:TO-247-2
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB450M12XM3

製品の説明:1200V 2.6 mΩ XM3 ハーフブリッジSiCパワーモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C6D25170H

製品の説明:​1700V、25A炭化ケイ素(SiC)ショットキーダイオード、TO-247-2

パッヶージ:TO-247-2
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3D08060A

製品の説明:600V 8A 第3世代ディスクリートSiCショットキーダイオード

パッヶージ:TO-220-2
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D16065G

製品の説明:650 V, 16 A, to-263-2パッケージ,第6世代分立カーバイド・ショートダイオードです

パッヶージ:TO-263-2
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAS530M12BM3

製品の説明:1200V 2.67mΩ 62mmハーフブリッジSiCパワーモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C6D05170H

製品の説明:​1700V、5A炭化ケイ素(SiC)ショットキーダイオード、TO-247-2

パッヶージ:TO-247-2
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E6D16065A

製品の説明:650 V, 16 A, to-220-2パッケージ,第6世代分立カーバイドショートダイオードです

パッヶージ:TO-220-2
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0016120K

製品の説明:1200V、16mΩ、115A炭化ケイ素(SiC)MOSFETトランジスタ、TO-247-4

パッヶージ:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0015065K

製品の説明:TO-247-4パッケージ、650Vディスクリート炭化ケイ素MOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C2M0045170P

製品の説明:1.7kV SiC NチャンネルエンハンスメントモードMOSFETトランジスタ、TO-247-4

パッヶージ:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
WAB300M12BM3

製品の説明:1200V、300Aシリコンカーバイトハーフブリッジモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0065100J

製品の説明:1000V NチャンネルエンハンスメントモードMOSFETトランジスタ、TO-263-7

パッヶージ:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0160120J

製品の説明:1200V SiCパワーMOSFET C3M™ MOSFETトランジスタ、TO-263-7

パッヶージ:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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