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IQE057N10NM6CG

製品の説明:OptiMOSTM6 パワートランジスタ、100V

パッヶージ:PG-TTFN-9
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R053M2H

製品の説明:TO-263-7 1200 V G2の組み込みCoolSiC™ MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R008M2H

製品の説明:TO-263-7 1200 V G2の組み込みCoolSiC™ MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R022M2H

製品の説明:TO-263-7 1200 V GII搭載CoolSiC™ MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R040M2H

製品の説明:TO-263-7 1200 V G2の組み込みCoolSiC™ MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R078M2H

製品の説明:TO-263-7のクールSiC™ MOSFET 1200 V G2

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R181M2H

製品の説明:TO-263-7 1200 V G2のクーラントSiC™ MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R012M2H

製品の説明:TO-263-7 1200 V G2の組み込みCoolSiC™ MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R116M2H

製品の説明:TO-263-7 1200 V G2の組み込みCoolSiC™ MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R017M2H

製品の説明:外形寸法TO-263-7 1200 V G2のCoolSiC™ MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS5C426NWFAFT1G
ON

製品の説明:MOSFET - パワー、シングルNチャンネル40V、1.3mΩ

パッヶージ:8-PowerTDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVTFS6H850NWFTAG
ON

製品の説明:MOSFET - パワー、シングルNチャンネル 80V、9.5mΩ

パッヶージ:8-WDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
EFC3J018NUZTDG
ON

製品の説明:MOSFET - パワー、デュアル、Nチャンネル、1~2セルリチウムイオンバッテリ保護用

パッヶージ:WLCSP-6
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FCPF190N60
ON

製品の説明:パワーMOSFET、Nチャンネル、SUPERFET® II、600V、199mΩ、TO-220F

パッヶージ:TO-220-3
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS6H801NT1G
ON

製品の説明:MOSFET - パワー、シングルNチャンネル 80V、2.8mΩ

パッヶージ:8-PowerTDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS5C430NLAFT1G
ON

製品の説明:MOSFET - パワー、シングルNチャンネル40V、1.4mΩ

パッヶージ:8-PowerTDFN
10起
8000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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