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製品の説明:TO-263-2 パッケージ 650V 20A SiCショットキーダイオード
パッヶージ:TO-263-2製品の説明:TO-247-2 パッケージ 650V 20A SiCショットキーダイオード
パッヶージ:TO-247-2製品の説明:窒化ガリウム(GaN) FET表面実装型Nチャネル650 V 58.5A (Tc) 250W (Tc) CCPAK1212i
パッヶージ:CCPAK1212i製品の説明:窒化ガリウム(GaN) FET表面実装型Nチャネル650 V 60A (Tc) 300W (Tc) CCPAK1212
パッヶージ:CCPAK1212製品の説明:窒化ガリウム(GaN) FET表面実装型Nチャネル40 V 20A (Ta) 13W (Ta) 22-WLCSP (2.1x2.1)
パッヶージ:WLCSP-22製品の説明:窒化ガリウム(GaN) FET表面実装型Nチャネル150 V 100A (Ta) 65W (Ta) VQFN
パッヶージ:VQFN-7製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET Nチャネル1200 V 38A (Tc) 167W (Tc) to-263 -7です。
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャンネル1200 V 65A (t) 306W (t) to-247-4です。
パッヶージ:TO-247-4製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET Nチャンネル1200 V 65A (Tc) 306W (Tc) to-263 -7です。
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET Nチャンネル1200 V 67A (t) 306W (t) to-263 -7です。
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET Nチャネル1200 V 33A (Tc) 167W (Tc) to-263 -7です。
パッヶージ:TO-263-7製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET貫通孔Nチャネル1200 V 35A (Tc) 183W (Tc) to-247-4です
パッヶージ:TO-247-4製品の説明:LFPAK88の強化SOA付きNチャンネル100 V、2.3 mOhm MOSFET
パッヶージ:LFPAK88製品の説明:1200V、80mΩ、NチャンネルSiC MOSFETトランジスタ
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:1200V、40mΩ、NチャンネルSiC MOSFETトランジスタ
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:表面実装 Nチャンネル 20 V 1.2A(Ta) 350mW(Ta)、5.43W(Tc) SOT-883
パッヶージ:SOT-883連絡先電話:86-755-83294757
企業QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
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