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AIプロセッサー・チップ

AI アクセラレータ

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C3M0060075K1

製品の説明:750V、60mΩ、35A、MOSディスクリート炭化ケイ素パワーMOSFETトランジスタ、TO-247-4

パッヶージ:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E4M0045075J2

製品の説明:750 v、45 mオメガ46、a、to−263−7実装、第4世代の分立炭化ケイ素mosfet

パッヶージ:TO-263-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0025075K1

製品の説明:750V、25mΩ、80A、炭化ケイ素パワーMOSFETトランジスタ、TO-247-4

パッヶージ:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAB760M12HM3R

製品の説明:1200V、1.33mΩ ハーフブリッジ並列SiCパワーモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0013120K

製品の説明:1200 v、13 mオメガto−247−4パッケージを第3世代の分立炭化ケイ素mosfet

パッヶージ:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0160120J2

製品の説明:1200V、160mΩ、18A Eシリーズ 車載用炭化ケイ素MOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0045065K

製品の説明:650 v、45 mオメガ46、a、to−247−4パッケージを第3世代の分立炭化ケイ素mosfet

パッヶージ:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C2M1000170J

製品の説明:1700V 1000mΩ 5.3A Gen 2 ディスクリートSiC MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0160120K

製品の説明:1200 v、160 mオメガ17 a、to−247−4パッケージを第3世代の分立炭化ケイ素mosfet

パッヶージ:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0021120J2

製品の説明:1200V、21mΩ、114A車載用炭化ケイ素MOSFETトランジスタ、TO-263-7

パッヶージ:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
E3M0160120D

製品の説明:1200 v、160 mオメガ17 a、to−247−3実装、第3世代分立炭化ケイ素mosfet

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0350120D

製品の説明:1200V 350mΩ 7.6A 第3世代ディスクリートSiC MOSFET

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAS480M12HM3

製品の説明:1200V、2.29mΩ、62mm HM 高性能ハーフブリッジSiCパワーモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0120065J

製品の説明:650V 120mΩ 21A 第3世代ディスクリートSiC MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
C3M0075120J

製品の説明:1200V 75 mΩ 30A 第3世代ディスクリートSiC MOSFET

パッヶージ:TO-263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CAS175M12BM3

製品の説明:1200V、8mΩハーフブリッジ炭化ケイ素パワーモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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