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AIプロセッサー・チップ

AI アクセラレータ

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NB6N11SMNG
ON

製品の説明:クロック/データファンアウトバッファ、1:2 AnyLevel™入力、LVDS、3.3 V

パッヶージ:QFN-16
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AFGH4L25T120RWD
ON

製品の説明:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)FS71200 V25 A SCR IGBT TO2474 L

パッヶージ:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AFGH4L25T120RW
ON

製品の説明:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)FS71200 V25 A SCR IGBT STAND-ALONE TO247 L

パッヶージ:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FGAF40N60SMD
ON

製品の説明:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)600 V80 A79 W

パッヶージ:TO-3PF
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FGY4L75T120SWD
ON

製品の説明:絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)1200 V75 A FS7 IGBT TP247-4 L

パッヶージ:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
LB11600JV-TLM-E
ON

製品の説明:モータドライバ PWM 4.5V-14V 30SSOP

パッヶージ:SSOP-30
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3C120040K3S
ON

製品の説明:1200V EliteSiCパワーNチャンネル炭化ケイ素JFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3C120070K3S
ON

製品の説明:1200V EliteSiCパワーNチャンネル炭化ケイ素JFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UF3C120040K3S
ON

製品の説明:1200V EliteSiCパワーNチャンネル炭化ケイ素JFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UF3C120040K4S
ON

製品の説明:1200V EliteSiCパワーNチャンネル炭化ケイ素JFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3C065030B3
ON

製品の説明:650 V EliteSiC Nチャンネル炭化ケイ素カスコードJFETトランジスタ

パッヶージ:TO-263-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L050N170M1
ON

製品の説明:1700V、45A、53mΩ、炭化ケイ素(SiC)MOSFETトランジスタ、TO-247-4

パッヶージ:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBL032N065M3S
ON

製品の説明:650V、55A、炭化ケイ素(SiC)MOSFETトランジスタ、H-PSOF-8

パッヶージ:H-PSOF-8
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4C075018K4S
ON

製品の説明:750V、18mΩ、炭化ケイ素(SiC)MOSFETトランジスタ、TO-247-4

パッヶージ:TO-220-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3C065030T3S
ON

製品の説明:650V、85A、炭化ケイ素(SiC)MOSFETトランジスタ、TO-220-3

パッヶージ:TO-220-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3C120150K3S
ON

製品の説明:1200V、150mΩ、炭化ケイ素(SiC)MOSFETトランジスタ、TO-247-3

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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