商品名称:炭化ケイ素(SiC)MOSFET
ブランド:Wolfspeed
年:24+
パッヶージ:TO-247-4
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:3000 件
c3m0065100kは第3世代技術の1000 vに基づいて、65 m、オメガ35 a炭化ケイ素、パワーmosfetをアルミベースフィルムの四ビアto−247−4パッケージ、ケビン・グリッドの連結を置いている。このKelvinソース設計はスイッチング損失とゲートリンギングを大幅に低減します。このMOSFETは、低オン抵抗、低出力容量、低ソースインダクタンスを備えており、電気自動車の充電システムや三相産業電源用に最適化されています。
C3M0065100Kの規格です:
FETタイプ:Nチャネルです
技術:SiCです
リークソース電圧(Vdss): 1000 Vです
25°C時電流-連続ドレイン(Id): 35A (Tc)です
駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 15Vです。
異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):78ミリオ@ 20A, 15Vです。
Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):3.5V @ 5mAです。
異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):35 nC @ 15 Vです。
Vgs(最大値):+19V, -8Vです
異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):660 pF @ 600 Vです。
FET機能:-です
消費電力分散(最大値):113.5W (Tc)です。
動作温度:-55℃~ 150℃(TJ)です。
取り付けタイプ:貫通穴です
サプライヤーデバイスパッケージ:to-244-4 lです。
パッケージ/ハウジング:to-247-4です。
基本品番:C3M0065100です。
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Wolfspeed(NYSE: NYSE)は、炭化ケイ素とGaN技術の世界的採用におけるマーケットリーダーです。 ウォルフスピードの製品ポートフォリオには、電気自動車、急速充電、5G、再生可能エネルギー、ストレージ、航空宇宙・防衛など、幅広いアプリケーションに対応する炭化ケイ…
ECB4R3M12YM3
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C3M0045065KはNチャンネルエンハンスメントモードC3M炭化ケイ素パワーMOSFETトランジスタです。C3M0060065Dの特長第3世代SiC MOSFET技術低オン抵抗で高ブロッキング電圧低容量で高速スイッチング低逆回復(Qrr)で高速の固有ダイオードハロゲンフリー、RoHS対応C3M006006…C3M0045065K
C3M0045065KはNチャンネルエンハンスメントモードC3M炭化ケイ素パワーMOSFETトランジスタです。C3M0045065Kの特長C3MTM炭化ケイ素(SiC)MOSFET技術最適化されたパッケージと独立したドライバ・ソース・ピンドレイン・ソース間沿面距離8mm低オン抵抗で高ブロッキング電圧C3M0021120D
C3M0021120DはNチャンネルエンハンスメントモードC3M炭化ケイ素パワーMOSFETトランジスタです。C3M0021120Dの特長第3世代SiC MOSFET技術低オン抵抗で高ブロッキング電圧低容量で高速スイッチング低逆回復(Qrr)の高速内蔵ダイオードハロゲンフリー、RoHS対応C3M0021120D…連絡先電話:86-755-83294757
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