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C3M0280090Jは900 Vの炭化シリコンパワーMOSFETで、広い走行距離とドレインとソース間のギャップ距離(~8mm)を持っています。このデバイスは高週波パワーエレクトロニクス用途に最適化されています。典型的な用途は、再生可能エネルギー、照明、高電圧DC/DCコンバータ、電気通信電源、誘導加熱などです。

C3M0280090Jの規格です:

FETタイプ:Nチャネルです

技術:SiCFET(炭化ケイ素)です

ドレインソース電圧(Vdss): 900 Vです

25°C時電流-連続ドレイン(Id): 11A (Tc)です

駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 15Vです。

異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):360ミリオ@ 7.5A, 15V

Id別Vgs(th)(最大値):3.5V @ 1.2mAです。

異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):9.5 nC @ 15 Vです。

Vgs(最大値):+18V, -8Vです

異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):150 pF @ 600 Vです。

FET機能:-です

消費電力分散(最大値):50W (Tc)です。

動作温度:-55℃~ 150℃(TJ)です。

装着タイプ:表面装着タイプです。

仕入先デバイス実装:to-263 -7です

パッケージ/ケース:to-263-8、D2PAK(7リード+凸)、to-263caです。

基本品番:C3M0280090です。

• 1.プラットフォームで見た在庫、価格は正確ですか?

  答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。

• 2.会社の商品はすべて本物ですか?

  答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。

• 3.元の工場や代理店の資質証明書を提供できますか?

  答え:現在、私たちの自営代理店 TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。

• 4.会社のウェブサイトで引き合いをしてもいいですか?

  答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。

• 5.注文したらいつ出荷できますか?どのくらいで着きますか。

  答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。

• 6.会社は領収書を発行できますか?

  答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。