商品名称:炭化ケイ素(SiC)MOSFET
ブランド:Wolfspeed
年:24+
パッヶージ:TO-247-3
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:3000 件
c3m0015065dは第3世代技術の650 vに基づいて、15メートル、オメガ120 a炭化ケイ素パワーmosfet、低導通抵抗とスイッチを持つ読んだり、最大限効率の向上と出力密度ができる。Wolfspeed 650 V MOSFET製品シリーズは高性能産業電源、サーバー/電気通信電源、電気自働車充電システム、エネルギー貯蔵システム、無停電電源、電池管理システムなどのアプリケーションに適しています。
C3M0015065Dの規格です:
FETタイプ:Nチャネルです
技術:SiCFETです
リークソース電圧(Vdss): 650 Vです
25°C時電流-連続ドレイン(Id): 120A (Tc)です
駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 15Vです。
異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):21ミリオ@ 55.8A, 15Vです
Id別Vgs(th)(最大値):3.6V @ 15.5mAです。
異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):188 nC @ 15 Vです。
Vgs(最大値):+15V, -4Vです
異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):5011 pF @ 400 Vです。
FET機能:-です
消費電力分散(最大値):416W (Tc)です。
動作温度:-40℃~ 175℃(TJ)です。
取り付けタイプ:貫通穴です
サプライヤーデバイスパッケージ:to-247-3です。
パッケージ/ハウジング:to-247-3です。
基本品番:C3M0015065です。
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Wolfspeed(NYSE: NYSE)は、炭化ケイ素とGaN技術の世界的採用におけるマーケットリーダーです。 ウォルフスピードの製品ポートフォリオには、電気自動車、急速充電、5G、再生可能エネルギー、ストレージ、航空宇宙・防衛など、幅広いアプリケーションに対応する炭化ケイ…
HAS310M17BM3
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CAB7R5A23GM4T は 2300V、7.5mΩ、GM パッケージ、ハーフブリッジ SiC パワーモジュールです。CAB7R5A23GM4Tの特長業界標準フォーム・ファクタの最先端炭化ケイ素MOSFET技術沿面抵抗を低減する高CTIハウジングNTC内蔵プレスフィット接続熱インターフェース材を事前に塗布…CAB5R0A23GM4T
CAB5R0A23GM4T は 2300V、5mΩ、GM パッケージ、ハーフブリッジ SiC パワーモジュールです。CAB5R0A23GM4Tの特長業界標準フォーム・ファクタの最先端炭化ケイ素MOSFET技術沿面抵抗を低減する高CTIハウジングNTC内蔵プレスフィット接続熱インターフェース材を事前に塗布し…C3M0280090J
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