商品名称:IXTH24N50L
データマニュアル:IXTH24N50L.pdf
ブランド:IXYS
年:23+
パッヶージ:TO-247-3
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:5000 件
IXTH24N50LはNチャネル強化モードパワーMOSFETで、線形働作用に設計され、国際標準パッケージを採用しています。このリニアパワーMOSFETは、拡張FBSOA、窒化アルミニウムで分離されたminiBLOC、高出力密度、省スペースかつ簡単な実装、UL94 v-0の可燃性分類に準拠した成形エポキシ樹脂を備えています。
このMOSFETはプログラム可能な負荷、電流レギュレータ、dc-dcコンバータ、バッテリー充電器、DCチョッパー、温度と照明制御などの用途で使用できます。
スペックです
FETタイプ:Nチャネルです
技術:MOSFET(金属酸化物)です
ドレインソース電圧(Vdss): 500 Vです。
電流-連続ドレイン(Id)(25°C時):24 A (Tc)です
駆動電圧:20Vです
異なるIdは、Vgs時のRds On: 300ミリユーロ@ 500mA、20Vです。
Idが異なる場合のVgs (th): 5V @ 250µAです。
Vgsが異なる場合のゲート電荷(Qg): 160 nC @ 20 Vです。
Vgs(最大値):±30Vです
異なるVds時の入力容量(Ciss): 2500 pF @ 25 Vです
FET機能:-です
電力:400W (Tc)です。
動作温度:-55℃~ 150℃(TJ)です。
取り付けタイプ:貫通穴です
パッケージ/ケース:to-247 (IXTH)です。
サプライヤーデバイスパッケージ:to-247-3です。
基本品番:IXTH24です。
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
車載用Nチャンネル・エンハンスメント・モード ロジック・レベル 40 V、0.75 mΩ最大、373 A STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル100V、5mΩ typ.、107A、PowerFLAT™ 5x6パッケージのSTripFET™ F7パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・エンハンスメントモード・ロジックレベル 40 V、0.8 mΩ最大、360 A、STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル 100 V、3.2 mΩ最大、158 A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
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IXYSは米国シリコンバレーに本社を置き、1983年に設立された主な事業内容:MOSFET、IGBT、サイリスタ、SCR、整流ブリッジ、ダイオード、DCBブロック、パワーモジュール、ハイブリッド、トランジスタ、インバータ、RFモジュール、マイコンなど事業は消費、自動車、医療、通…
IXA33IF1200HB
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IXYH55N120B4H1 - 1200V、ソニックダイオード付き55A XPT™ Gen4 IGBTトランジスタ、5kHz~30kHzスイッチング用IGBTを貫通する極端なライトパンチ製品の説明当社独自のXPT™薄型ウェハ技術と最先端のトレンチIGBTプロセスを使用して開発されたこれらのデバイスは、熱抵抗…IXYK120N120C3
IXYK120N120C3デバイスは、最先端のgenx 3 IGBTプロセスと極軽量スルー(XPT)設計プラットフォームで製造され、高い電流処理能力、高速スイッチング能力、低総エネルギー損失、低電流降下時間などの特性を備えています。このIGBTは正の集電-エミッタ電圧温度系数を持ってい…IXYH55N120C4H1
IXYH55N120C4H1 - 1200V、55A XPT™ Gen4 IGBTトランジスタ、ソニックダイオード付き 20kHz~50kHzスイッチング用高速IGBT製品概要当社独自のXPT™薄型ウェハ技術と最先端のトレンチIGBTプロセスを使用して開発されたこれらのデバイスは、熱抵抗の低減、低エネルギー損失…IXYH10N170C
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IXXX160N65B4デバイスはIXYS独自のXPT薄ウエハ技術と最先端の溝IGBTプロセスで開発され、低熱抵抗、低エネルギー、高速スイッチ、低テール電流、高電流密度を特徴としています。また、正方形の逆バイアス安全作業領域(RBSOA)と650Vの破壊電圧を備えており、バッファレスハ…連絡先電話:86-755-83294757
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