商品名称:IXTH24N50L
データマニュアル:IXTH24N50L.pdf
ブランド:IXYS
年:23+
パッヶージ:TO-247-3
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:5000 件
IXTH24N50LはNチャネル強化モードパワーMOSFETで、線形働作用に設計され、国際標準パッケージを採用しています。このリニアパワーMOSFETは、拡張FBSOA、窒化アルミニウムで分離されたminiBLOC、高出力密度、省スペースかつ簡単な実装、UL94 v-0の可燃性分類に準拠した成形エポキシ樹脂を備えています。
このMOSFETはプログラム可能な負荷、電流レギュレータ、dc-dcコンバータ、バッテリー充電器、DCチョッパー、温度と照明制御などの用途で使用できます。
スペックです
FETタイプ:Nチャネルです
技術:MOSFET(金属酸化物)です
ドレインソース電圧(Vdss): 500 Vです。
電流-連続ドレイン(Id)(25°C時):24 A (Tc)です
駆動電圧:20Vです
異なるIdは、Vgs時のRds On: 300ミリユーロ@ 500mA、20Vです。
Idが異なる場合のVgs (th): 5V @ 250µAです。
Vgsが異なる場合のゲート電荷(Qg): 160 nC @ 20 Vです。
Vgs(最大値):±30Vです
異なるVds時の入力容量(Ciss): 2500 pF @ 25 Vです
FET機能:-です
電力:400W (Tc)です。
動作温度:-55℃~ 150℃(TJ)です。
取り付けタイプ:貫通穴です
パッケージ/ケース:to-247 (IXTH)です。
サプライヤーデバイスパッケージ:to-247-3です。
基本品番:IXTH24です。
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT 5x6
1500
Nチャネル 60 V、1.2 mΩ(典型値)、120 A STripFET F7 パワーMOSFET(PowerFLAT 5x6 パッケージ)
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
車載グレードNチャンネル80V、3.15mΩ(標準)、130A STripFET F7パワーMOSFET、PowerFLAT 5x6パッケージ
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IXYSは米国シリコンバレーに本社を置き、1983年に設立された主な事業内容:MOSFET、IGBT、サイリスタ、SCR、整流ブリッジ、ダイオード、DCBブロック、パワーモジュール、ハイブリッド、トランジスタ、インバータ、RFモジュール、マイコンなど事業は消費、自動車、医療、通…
IXFH60N65X2-4
IXFH60N65X2-4 は、IXYSが発売するNチャネルパワーMOSFETで、HiPerFET™ X2-Class シリーズに属し、TO-247-4L パッケージを採用しています。DLA60I1200HA
DLA60I1200HA は、IXYS が発売した 1200V/60A の汎用整流器で、TO-247-2(TO-247AD)パッケージを採用し、高出力整流、産業用電源、モーター駆動など幅広いアプリケーションに適用可能です。IXFH60N50P3
IXFH60N50P3は、高電力スイッチングアプリケーション向けに設計されたHiPerFET™ Polar3™シリーズに属するNチャネルパワーMOSFETです。IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は、最大150 kHzのスイッチング能力を提供し、電流範囲は66Aです。高スイッチング速度と低伝導損失の組み合わせは、電源設計者に価値の高い新しいスイッチングアプリケーションの選択肢を提供します。この製品は以下…IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1は、主に10 ~ 30kHzのスイッチング用のIGBT(絶縁ゲートバイ極トランジスタ)です。この製品は以下の主要なパラメータを持っています:IGBTタイプ:PTです電圧-輻射破壊(最大値):600 Vです電流-コレクタ(Ic)(最大値):200 Aです電流-集電パルス(Icm): 440 Aです…IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は,XPT薄ウエハー技術と溝型IGBTプロセスで開発しました。このトランジスタは低い熱抵抗を持ち,低いスイッチング損失を実現するために最適化されています。特徴と仕様は以下の通りです。特徴ですスイッチング損失が…連絡先電話:86-755-83294757
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