IXTP160N10T 説明
IXYS Gen1 トレンチゲートパワーMOSFETは、極めて低いRDS(ON)を必要とする低電圧/大電流アプリケーションに最適で、その結果、消費電力が非常に小さくなります。 さらに、-40°C~175°Cの幅広いジャンクション温度範囲で動作するため、車載アプリケーションやその他の過酷な環境でのアプリケーションに適しています。
IXTP160N10Tの製品概要
メーカー: IXYS
製品カテゴリ: MOSFET
実装形態:スルーホール
パッケージ/ケース:TO-220-3
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャンネル数: 1チャンネル
Vds-ドレイン・ソース降伏電圧: 100 V
Id-連続ドレイン電流:160 A
Rds-ドレインオン抵抗:7 mOhms
最低動作温度: - 55
最大動作温度:+ 175
Pd-電力損失:430 W
チャネルモード:エンハンスメント
商標: HiPerFET
構成: Single
ダウンタイム: 42 ns
高さ: 9.15 mm
長さ: 10.66 mm
製品タイプ: MOSFET
立ち上がり時間: 61 ns
シリーズ: IXTP160N10
トランジスタタイプ: 1 Nチャンネル
標準オフ遅延時間:49 ns
標準ターンオン遅延時間:33 ns
幅: 4.83 mm
単位重量: 2 g
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT 5x6
1500
Nチャネル 60 V、1.2 mΩ(典型値)、120 A STripFET F7 パワーMOSFET(PowerFLAT 5x6 パッケージ)
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
車載グレードNチャンネル80V、3.15mΩ(標準)、130A STripFET F7パワーMOSFET、PowerFLAT 5x6パッケージ
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IXYSは米国シリコンバレーに本社を置き、1983年に設立された主な事業内容:MOSFET、IGBT、サイリスタ、SCR、整流ブリッジ、ダイオード、DCBブロック、パワーモジュール、ハイブリッド、トランジスタ、インバータ、RFモジュール、マイコンなど事業は消費、自動車、医療、通…
IXYP50N65C3
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IXFH60N65X2-4 は、IXYSが発売するNチャネルパワーMOSFETで、HiPerFET™ X2-Class シリーズに属し、TO-247-4L パッケージを採用しています。連絡先電話:86-755-83294757
企業QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
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