IXTP160N10T 説明
IXYS Gen1 トレンチゲートパワーMOSFETは、極めて低いRDS(ON)を必要とする低電圧/大電流アプリケーションに最適で、その結果、消費電力が非常に小さくなります。 さらに、-40°C~175°Cの幅広いジャンクション温度範囲で動作するため、車載アプリケーションやその他の過酷な環境でのアプリケーションに適しています。
IXTP160N10Tの製品概要
メーカー: IXYS
製品カテゴリ: MOSFET
実装形態:スルーホール
パッケージ/ケース:TO-220-3
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャンネル数: 1チャンネル
Vds-ドレイン・ソース降伏電圧: 100 V
Id-連続ドレイン電流:160 A
Rds-ドレインオン抵抗:7 mOhms
最低動作温度: - 55
最大動作温度:+ 175
Pd-電力損失:430 W
チャネルモード:エンハンスメント
商標: HiPerFET
構成: Single
ダウンタイム: 42 ns
高さ: 9.15 mm
長さ: 10.66 mm
製品タイプ: MOSFET
立ち上がり時間: 61 ns
シリーズ: IXTP160N10
トランジスタタイプ: 1 Nチャンネル
標準オフ遅延時間:49 ns
標準ターンオン遅延時間:33 ns
幅: 4.83 mm
単位重量: 2 g
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
車載グレードNチャンネル80V、3.15mΩ(標準)、130A STripFET F7パワーMOSFET、PowerFLAT 5x6パッケージ
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IXYSは米国シリコンバレーに本社を置き、1983年に設立された主な事業内容:MOSFET、IGBT、サイリスタ、SCR、整流ブリッジ、ダイオード、DCBブロック、パワーモジュール、ハイブリッド、トランジスタ、インバータ、RFモジュール、マイコンなど事業は消費、自動車、医療、通…
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ixsa80n120l2-7は工業グレード、単スイッチSiC MOSFETで、低損失、速い切り替えの特性を持っていて、高速工業スイッチモード電源供給に適しています。主な特性です低い導通読んだり:ixsa80n120l2−7の導通読んだりが低く、具体的には30 mオメガである。低いゲート駆動出…IXSA40N120L2-7
ixsa40n120l2-7は工業グレードの単管炭化シリコンMOSFET (SiC MOSFET)で、優れたパワーサイクル特性と高速、低損失のスイッチング動作を備えています。応用分野ですixsa40n120l2-7は、以下のような高出力および高周波数アプリケーションシーンに適しています。ソーラー・…連絡先電話:86-755-83294757
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