商品名称:Nチャネル パワーMOSFET
ブランド:IXYS
年:23+
パッヶージ:TO-247-4
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:3360 件
IXFH60N65X2-4 は、IXYSが発売するNチャネルパワーMOSFETで、HiPerFET™ X2-Class シリーズに属し、TO-247-4L パッケージを採用しています。高周波スイッチング電源、モーター駆動、産業用インバーターなどへの応用が適しています。このデバイスは超結技術を採用し、低導通抵抗(RDS(on))、高電流耐量、優れたアバランシェ耐性を備え、システム効率の向上と信頼性の強化を実現します。
IXFH60N65X2-4 の特性
高耐圧:650V 漏源電圧(VDS)、産業用電源や再生可能エネルギーインバーターなど高電圧環境に適しています。
高電流容量:60Aの連続ドレイン電流(ID)(ケース温度25°C時)、パルス電流120Aで、瞬時高負荷要件に対応。
低オン抵抗:52mΩ(最大値)@10V VGS、30A IDで、伝導損失を低減。
高速スイッチング性能:ゲート電荷(Qg)= 108nC @10V、高周波駆動効率を最適化。
立ち上がり時間23ns / 立ち下がり時間12ns、PWM制御アプリケーションに最適。
堅牢な設計:最大電力消費量780W(ケース温度25°C)、高電力アプリケーションに対応。
アバランシェエネルギー耐性により、電圧衝撃に対する耐性を強化。
広範な動作温度範囲:-55°C~+150°C(結温)、過酷な産業環境に対応。
TO-247-4Lパッケージ:スルーホール取り付け、内蔵ヒートシンクにより熱性能を最適化。
低パッケージインダクタンス:高周波スイッチングノイズを低減。
IXFH60N65X2-4 典型的な応用例
電源変換:PFC(力率補正)回路、DC-DCコンバーター。
モーター駆動:産業用サーボシステム、電気自動車の補助モーター。
インバーター:太陽光発電インバーター、UPS無停電電源装置。
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
PG-TO220-3
5000
CoolMOS® パワートランジスタ スルーホール Nチャネル 650 V 16A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-3-31
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IXYSは米国シリコンバレーに本社を置き、1983年に設立された主な事業内容:MOSFET、IGBT、サイリスタ、SCR、整流ブリッジ、ダイオード、DCBブロック、パワーモジュール、ハイブリッド、トランジスタ、インバータ、RFモジュール、マイコンなど事業は消費、自動車、医療、通…
DLA60I1200HA
DLA60I1200HA は、IXYS が発売した 1200V/60A の汎用整流器で、TO-247-2(TO-247AD)パッケージを採用し、高出力整流、産業用電源、モーター駆動など幅広いアプリケーションに適用可能です。IXFH60N50P3
IXFH60N50P3は、高電力スイッチングアプリケーション向けに設計されたHiPerFET™ Polar3™シリーズに属するNチャネルパワーMOSFETです。IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は、最大150 kHzのスイッチング能力を提供し、電流範囲は66Aです。高スイッチング速度と低伝導損失の組み合わせは、電源設計者に価値の高い新しいスイッチングアプリケーションの選択肢を提供します。この製品は以下…IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1は、主に10 ~ 30kHzのスイッチング用のIGBT(絶縁ゲートバイ極トランジスタ)です。この製品は以下の主要なパラメータを持っています:IGBTタイプ:PTです電圧-輻射破壊(最大値):600 Vです電流-コレクタ(Ic)(最大値):200 Aです電流-集電パルス(Icm): 440 Aです…IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は,XPT薄ウエハー技術と溝型IGBTプロセスで開発しました。このトランジスタは低い熱抵抗を持ち,低いスイッチング損失を実現するために最適化されています。特徴と仕様は以下の通りです。特徴ですスイッチング損失が…IXYH40N120B4H1
IXYH40N120B4H1 1200Vスロット式XPT™絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は、XPT薄ウエハー技術とスロット式IGBTプロセスを用いて開発されました。このトランジスタは低い熱抵抗を持ち,低いスイッチング損失を実現するために最適化されています。主な仕様は以下の通…連絡先電話:86-755-83294757
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