STW40N95K5超高耐圧Nチャネル・パワーMOSFETは、革新的な独自の垂直構造に基づくMDmesh™ K5技術で設計されています。 その結果、超高電力密度と高効率を必要とするアプリケーション向けに、大幅に低いオン抵抗と超低ゲート電荷を実現しています。
STW40N95K5の特長
業界最小のRDS(on)×面積
業界最高のファクター・オブ・パフォーマンス(FoM)
超低ゲート・チャージ
100%アバランシェ・テスト済み
ツェナー保護
STW40N95K5の製品特性
製品カテゴリー: MOSFET
パッケージ/ケース: TO-247-3
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャネル数: 1チャネル
Vds-ドレイン・ソース降伏電圧:950 V
Id-ドレイン連続電流:38 A
Rds-ドレインオン抵抗:110 mOhms
Vgs -ゲート-ソース間電圧: - 30 V, + 30 V
Vgs th-ゲート・ソース間スレッショルド電圧:3 V
Qg-ゲート電荷: 93 nC
最低動作温度: - 55
最大動作温度:+ 150
Pd-消費電力:450 W
チャネルモード:エンハンスメント
商品名: MDmesh
構成: Single
立ち下がり時間: 10 ns
立ち上がり時間: 51 ns
STW40N95K5 アプリケーション
スイッチング・アプリケーション
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT 5x6
1500
Nチャネル 60 V、1.2 mΩ(典型値)、120 A STripFET F7 パワーMOSFET(PowerFLAT 5x6 パッケージ)
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
車載グレードNチャンネル80V、3.15mΩ(標準)、130A STripFET F7パワーMOSFET、PowerFLAT 5x6パッケージ
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STTH6012W
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