商品名称:NチャンネルMOSFET
ブランド:ST
年:25+
パッヶージ:PowerFLAT™ 5x6
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:15000 件
STripFET™ F7技術を採用したこのSTL135N8F7AG NチャネルパワーMOSFETは、強化されたトレンチゲート構造でオン抵抗が極めて低く、内部容量とゲート電荷を低減して高速で効率的なスイッチングを実現します。
STL135N8F7AGの特長
車載アプリケーション向けに設計され、AEC-Q101認証を取得
市場で最も低いRDS(オン状態)デバイスの1つ
優れたFoM(ファクターオブメリット)
EMIイミュニティのための低いCrss/Ciss比
高いアバランシェ耐量
ウェッタブル・サイド・パッケージ
STL135N8F7AG技術データ
FETタイプ:Nチャンネル
技術:MOSFET(金属酸化物)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss):80 V
25°Cでの連続ドレイン電流(Id):130A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
異なるId、Vgsにおけるオン抵抗(最大): 3.6 mOhm @ 13A、10V
異なるIdにおけるVgs(th)(最大):4.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) at Vgs (max): 103 nC @ 10 V
Vgs(最大):±20V
入力キャパシタンス(Ciss)/Vds(最大): 6800 pF @ 40 V
許容損失(最大):4.8W(Ta)、135W(Tc)
動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
グレード:自動車グレード
認定: AEC-Q101
実装タイプ: 表面実装、ウェッタブルサイド
サプライヤーデバイスパッケージ: PowerFlat™ (5x6)
パッケージ/ケース:8ピンPowerVDFN
STL135N8F7AG アプリケーション
スイッチングアプリケーション
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT 5x6
1500
Nチャネル 60 V、1.2 mΩ(典型値)、120 A STripFET F7 パワーMOSFET(PowerFLAT 5x6 パッケージ)
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