STL220N6F7は、STマイクロエレクトロニクスのNチャネルパワーMOSFETで、STripFET™ F7シリーズに属し、PowerFLAT™(5×6mm)パッケージを採用しています。超低オン抵抗(RDS(on))と高い電流容量を備え、電気自動車、産業用モーター駆動、サーバー電源、太陽光発電インバーターなど、高電力密度アプリケーションに最適です。
STL220N6F7 の特徴
超低導通抵抗:1.2mΩ(典型値)により、導通損失を大幅に低減し、システム効率を向上させます。
高電流耐量:260A(連続ドレイン電流、Tc=25°C)で、大電力スイッチングアプリケーションに最適です。
高速スイッチング性能:ゲート電荷(Qg)はわずか98nCで、500kHz以上のスイッチング周波数に対応し、スイッチング損失を低減します。
高信頼性:アバランシェエネルギー耐性は900mJで、システムの堅牢性を向上させ、過酷な環境にも適しています。
動的特性最適化:逆伝送容量(Crss)はわずか230pFで、EMI放射を30dB以上低減します。
低熱抵抗設計:結殻熱抵抗(Rthj-case)はわずか0.8°C/Wで、放熱効率を向上させます。
強化された保護機能:過電流、過温度、短絡保護機能を備え、システムの安全性を向上させます。
パッケージ最適化:5×6mm PowerFLAT™パッケージを採用し、高電力密度設計に対応します。
銀焼結プロセスにより、熱抵抗を従来の溶接プロセスの1/3に低減します。
STL220N6F7 製品仕様
ドレイン・ソース電圧(Vdss):60V
連続ドレイン電流(Id):120A(動作温度範囲:0℃~150℃)
最大電力消費(Pd):188W
典型導通抵抗(Rds(on)):1.2mΩ(10V、20A時)
最大導通抵抗(Rds(on)):1.4mΩ(10V、20A 時)
しきい値電圧(Vgs(th)):最大 4V(250μA 時)
熱特性:接合部温度範囲は -55℃から 175℃、25°C 時の熱抵抗(RthJC)は 0.5°C/W
ゲート電荷(Qg):最大 98nC(10V 時)
入力容量(Ciss):最大 6600pF(25V 時)
逆伝送容量(Crss):230pF(25V 時)
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
車載グレードNチャンネル80V、3.15mΩ(標準)、130A STripFET F7パワーMOSFET、PowerFLAT 5x6パッケージ
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