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製品の説明:150V、OptiMOS™ NチャンネルパワーMOSFETトランジスタ、PG-TDSON-8
パッヶージ:PG-TDSON-8製品の説明:TO-247-3パッケージの1200V炭化ケイ素ショットキーダイオード
パッヶージ:PG-TO247-3製品の説明:車載グレードNチャンネル80V、3.15mΩ(標準)、130A STripFET F7パワーMOSFET、PowerFLAT 5x6パッケージ
パッヶージ:PowerFLAT™ 5x6製品の説明:車載グレード600V、30A超高速ソフトリカバリダイオード
パッヶージ:D2PAK製品の説明:Nチャンネル950V、0.110Ω Typ、38A MDmesh K5パワーMOSFET、TO-247パッケージ
パッヶージ:TO-247製品の説明:パワードライバモジュールIGBT 3相600 V 20 A 27ピンPowerDIPモジュール(1.205インチ、30.60mm)
パッヶージ:DIP製品の説明:ブリッジ整流器三相標準1.6kV QC端子 FO-B
パッヶージ:FO-B-5製品の説明:圧接式技術を採用した60mmサイリスタ/ダイオードモジュール、1800V
パッヶージ:BG-PB60AT-1製品の説明:圧接式技術を採用した60mmサイリスタ/ダイオードモジュール、1600V
パッヶージ:BG-PB60AT-1製品の説明:圧着技術を採用した60mmサイリスタ/ダイオードモジュール、2200V
パッヶージ:BG-PB60AT-1製品の説明:圧接式技術を採用した60mmサイリスタ/ダイオードモジュール、1800V
パッヶージ:BG-PB60AT-1製品の説明:圧接式技術を採用した60mmサイリスタ/ダイオードモジュール、1600V
パッヶージ:BG-PB60AT-1製品の説明:圧接式技術を採用した34mmサイリスタ/ダイオードモジュール、2200V
パッヶージ:BG-PB34-1製品の説明:圧着技術を採用した20mmサイリスタ/ダイオードモジュール、1400V
パッヶージ:BG-PB20-1製品の説明:溶接技術を採用した20mmサイリスタ/ダイオードモジュール、1600V
パッヶージ:BG-SB20-1製品の説明:溶接技術を採用した50mmサイリスタ/ダイオードモジュール、1800V
パッヶージ:BG-PB50SB-1連絡先電話:86-755-83294757
企業QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
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