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AIプロセッサー・チップ

AI アクセラレータ

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操作

UJ3C120040K3S
ON

製品の説明:1200V EliteSiCパワーNチャンネル炭化ケイ素JFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3C120070K3S
ON

製品の説明:1200V EliteSiCパワーNチャンネル炭化ケイ素JFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UF3C120040K3S
ON

製品の説明:1200V EliteSiCパワーNチャンネル炭化ケイ素JFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UF3C120040K4S
ON

製品の説明:1200V EliteSiCパワーNチャンネル炭化ケイ素JFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3C065030B3
ON

製品の説明:650 V EliteSiC Nチャンネル炭化ケイ素カスコードJFETトランジスタ

パッヶージ:TO-263-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DDB2U60N12W3RF

製品の説明:EasyBRIDGE™ 1200 V整流ブリッジモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DD170N36K

製品の説明:34 mm 圧接技術による3600 Vのダイオードモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DD171N18K

製品の説明:34 mm 整流ダイオード 1800 V 圧接技術

パッヶージ:モジュール
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ETT580N16P60

製品の説明:60mm、1600V、580A、エコブロック位相制御サイリスタモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
ETD580N16P60

製品の説明:60mm、1600V、586A、エコブロック位相制御サイリスタモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD330N18AOF

製品の説明:50 mmサイリスタ/ダイオードモジュール、圧接技術で1800 Vを実現

パッヶージ:モジュール
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TD92N16KOF

製品の説明:プレッシャーコンタクト技術による1600 Vの20 mmサイリスタ/ダイオードモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TT500N18KOF

製品の説明:60 mm 圧接技術による1800 Vサイリスタモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TT500N16KOF

製品の説明:60 mm 圧接技術による1600 Vサイリスタモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TT500N14KOF

製品の説明:60 mm 圧接技術による1400 Vサイリスタモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TT425N18KOF

製品の説明:60 mm 圧接技術による1800 Vサイリスタモジュール

パッヶージ:モジュール
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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