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製品の説明:650V 50A フィールドストップ・トレンチ型IGBT
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:Nチャネル 600 V、7 A 超高速IGBT
パッヶージ:TO-252-3製品の説明:バイポーラ(BJT)トランジスタ-シングルNPN60 V3 A60 MHz1 WビアTO-126-3
パッヶージ:TO-126-3製品の説明:100 V、40 A 2回路式パワー・ショットキー整流器
パッヶージ:D2PAK製品の説明:IGBTトランジスタ650 V78 A300 W表面実装型TO-263(D2 PAK)
パッヶージ:D2PAK製品の説明:IGBTトランジスタ560 V80 A300 W表面実装型TO-263(D2 PAK)
パッヶージ:D2PAK製品の説明:PチャネルパワーMOSFET、-30 V、-88.6 A、7.5 mΩ、µ8 FL
パッヶージ:8-WDFN製品の説明:PチャネルパワーMOSFET、-40 V、-222 A、2.2 mΩ、DFN5
パッヶージ:DFN5製品の説明:PチャネルパワーMOSFET、-30 V、-234 A、1.8 mΩ、SO8-FL
パッヶージ:SO-8FL製品の説明:PINダイオード .33pF -40℃ +150℃ 閾値レベル +9 dBm
パッヶージ:QFN-3製品の説明:PINダイオード .45pF -40℃ +150℃ 閾値レベル +12 dBm
パッヶージ:QFN-3製品の説明:PINダイオード .3pF -40℃ +150℃ 閾値レベル +10 dBm
パッヶージ:QFN-3製品の説明:Nチャネル 60 V、1.2 mΩ(典型値)、120 A STripFET F7 パワーMOSFET(PowerFLAT 5x6 パッケージ)
パッヶージ:PowerFLAT 5x6製品の説明:5mm × 6mm SON パッケージを採用した 40A、30V、N チャネル同期降圧 NexFET™ パワー MOSFET 電源モジュール
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:650 V、30 Aシリコンパワーダイオード
パッヶージ:TO-220-2連絡先電話:86-755-83294757
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