ブランド:
製品の画像
規格型番
ブランド
パラメータの説明
発注量
在庫品
購入数量
単価
操作
製品の説明:Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
パッヶージ:PowerFLAT-4製品の説明:Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
パッヶージ:PowerFLAT-4製品の説明:車載用Nチャンネル・エンハンスメント・モード ロジック・レベル 40 V、0.75 mΩ最大、373 A STripFET F8 パワーMOSFET
パッヶージ:PowerFLAT-4製品の説明:Nチャンネル100V、5mΩ typ.、107A、PowerFLAT™ 5x6パッケージのSTripFET™ F7パワーMOSFET
パッヶージ:PowerFLAT-4製品の説明:Nチャンネル・エンハンスメントモード・ロジックレベル 40 V、0.8 mΩ最大、360 A、STripFET F8 パワーMOSFET
パッヶージ:PowerFLAT-4製品の説明:Nチャンネル 100 V、3.2 mΩ最大、158 A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
パッヶージ:PowerFLAT-4製品の説明:RF JFETトランジスタ270W GaN HEMT 48V 2496~2690MHz
パッヶージ:H-87265J-2製品の説明:OptiMOSTM6 パワートランジスタ、100V
パッヶージ:PG-TTFN-9製品の説明:IGBT モジュール トレンチ フィールド カットオフ 3 段インバータ 1200 V 140 A 280 W シャーシ実装
パッヶージ:MODULE製品の説明:IGBT溝型フィールドカット650 V 200 A表面装着型SMD
パッヶージ:SMD製品の説明:IGBT溝型フィールドオフ600 V 8 A 75 W表面装着型DPAK
パッヶージ:TO-252製品の説明:IGBT溝型フィールドオフ650 V 80 A 283 Wスルースルーto-247ロングリード
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:スルーホール Nチャンネル 1200 V 69A(Tc) 326W(Tc) PG-TO247-4-11
パッヶージ:PG-TO247-4-11製品の説明:スルーホール Nチャンネル 1200 V 17A(Tc) 109W(Tc) PG-TO247-4-14
パッヶージ:PG-TO247-4-14製品の説明:スルーホール Nチャンネル 1200 V 31A(Tc) 169W(Tc) PG-TO247-4-14
パッヶージ:PG-TO247-4-14製品の説明:シングルNチャンネルパワーMOSFETトランジスタ
パッヶージ:8-DFN連絡先電話:86-755-83294757
企業QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
サービス時間:9:00-18:00
連絡先メールボックス:sales@hkmjd.com
会社の住所:広東省深圳市福田区振中路国利ビル1239~1241号室
CopyRight©2022 明佳達著作権の所有 広東ICP備05062024号-12
公式QRコード
友情リンク: