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AIプロセッサー・チップ

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在庫品

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単価

操作

RGS00TS65EHRYC13

製品の説明:650V 50A フィールドストップ・トレンチ型IGBT

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STGD6NC60HDT4
ST

製品の説明:Nチャネル 600 V、7 A 超高速IGBT

パッヶージ:TO-252-3
10起
20000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
KSD794AYSTU
ON

製品の説明:バイポーラ(BJT)トランジスタ-シングルNPN60 V3 A60 MHz1 WビアTO-126-3

パッヶージ:TO-126-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STPS41H100CG
ST

製品の説明:100 V、40 A 2回路式パワー・ショットキー整流器

パッヶージ:D2PAK
10起
21880
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FGB5065G2-F085
ON

製品の説明:IGBTトランジスタ650 V78 A300 W表面実装型TO-263(D2 PAK)

パッヶージ:D2PAK
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FGB5056G2-F085
ON

製品の説明:IGBTトランジスタ560 V80 A300 W表面実装型TO-263(D2 PAK)

パッヶージ:D2PAK
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVTFS015P03P8Z
ON

製品の説明:PチャネルパワーMOSFET、-30 V、-88.6 A、7.5 mΩ、µ8 FL

パッヶージ:8-WDFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS2D3P04M8L
ON

製品の説明:PチャネルパワーMOSFET、-40 V、-222 A、2.2 mΩ、DFN5

パッヶージ:DFN5
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFS003P03P8Z
TI

製品の説明:PチャネルパワーMOSFET、-30 V、-234 A、1.8 mΩ、SO8-FL

パッヶージ:SO-8FL
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CLA4603-085LF

製品の説明:PINダイオード .33pF -40℃ +150℃ 閾値レベル +9 dBm

パッヶージ:QFN-3
10起
6000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CLA4605-085LF

製品の説明:PINダイオード .45pF -40℃ +150℃ 閾値レベル +12 dBm

パッヶージ:QFN-3
10起
6000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CLA4606-085LF

製品の説明:PINダイオード .3pF -40℃ +150℃ 閾値レベル +10 dBm

パッヶージ:QFN-3
10起
6000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
STL220N6F7
ST

製品の説明:Nチャネル 60 V、1.2 mΩ(典型値)、120 A STripFET F7 パワーMOSFET(PowerFLAT 5x6 パッケージ)

パッヶージ:PowerFLAT 5x6
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CSD87350Q5D
TI

製品の説明:5mm × 6mm SON パッケージを採用した 40A、30V、N チャネル同期降圧 NexFET™ パワー MOSFET 電源モジュール

パッヶージ:TO-247-3
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IDP30E65D1

製品の説明:650 V、30 Aシリコンパワーダイオード

パッヶージ:TO-220-2
10起
2500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DLA60I1200HA

製品の説明:低電圧標準整流器

パッヶージ:TO-247-2
10起
8500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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