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製品の説明:1200V EliteSiCパワーNチャンネル炭化ケイ素JFETトランジスタ
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:1200V EliteSiCパワーNチャンネル炭化ケイ素JFETトランジスタ
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:1200V EliteSiCパワーNチャンネル炭化ケイ素JFETトランジスタ
パッヶージ:TO-247-3製品の説明:1200V EliteSiCパワーNチャンネル炭化ケイ素JFETトランジスタ
パッヶージ:TO-247-4製品の説明:650 V EliteSiC Nチャンネル炭化ケイ素カスコードJFETトランジスタ
パッヶージ:TO-263-3製品の説明:EasyBRIDGE™ 1200 V整流ブリッジモジュール
パッヶージ:モジュール製品の説明:34 mm 圧接技術による3600 Vのダイオードモジュール
パッヶージ:モジュール製品の説明:34 mm 整流ダイオード 1800 V 圧接技術
パッヶージ:モジュール製品の説明:60mm、1600V、580A、エコブロック位相制御サイリスタモジュール
パッヶージ:モジュール製品の説明:60mm、1600V、586A、エコブロック位相制御サイリスタモジュール
パッヶージ:モジュール製品の説明:50 mmサイリスタ/ダイオードモジュール、圧接技術で1800 Vを実現
パッヶージ:モジュール製品の説明:プレッシャーコンタクト技術による1600 Vの20 mmサイリスタ/ダイオードモジュール
パッヶージ:モジュール製品の説明:60 mm 圧接技術による1800 Vサイリスタモジュール
パッヶージ:モジュール製品の説明:60 mm 圧接技術による1600 Vサイリスタモジュール
パッヶージ:モジュール製品の説明:60 mm 圧接技術による1400 Vサイリスタモジュール
パッヶージ:モジュール製品の説明:60 mm 圧接技術による1800 Vサイリスタモジュール
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