IXTA26P20P は、Littelfuse の特許取得済み Polar™ プロセスで製造された P チャネル強化型パワー MOSFET です。TO-263(D²Pak-3L)表面実装パッケージを採用し、低オン抵抗と低ゲート電荷を両立。並列接続が容易で、高 dv/dt および雪崩エネルギーに耐性があり、高周波数・高電力密度アプリケーションに最適です。
IXTA26P20 主要な特性
• 低 RDS(on):典型値 140 mΩ、最大 170 mΩ(@ VGS = 10 V、ID = 13 A)
• 低ゲート電荷:Qg = 56 nC(典型値 @ VGS = 10 V)
• 迅速なスイッチング:上昇/下降時間 < 100 ns、高周波駆動に最適
• 高出力密度:300 W(Tc = 25 °C)
• アバランシェとdv/dt定格、正の温度係数、並列均流に最適
IXTA26P20 製品特性
製品種類: MOSFET
技術: Si
実装方式: SMD/SMT
パッケージ/ケース: D2PAK-3 (TO-263-3)
トランジスタ極性: Pチャネル
チャネル数: 1チャネル
Vds-ドレイン・ソース間 breakdown 電圧: 200 V
Id-連続ドレイン電流: 26 A
Rds On-ドレイン-ソース導通抵抗: 170 mΩ
Vgs - ゲート-ソース電圧: - 20 V, + 20 V
Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧: 2 V
Qg-ゲート電荷: 56 nC
最小動作温度: - 55 °C
最大動作温度: + 150 °C
Pd-電力消費: 300 W
チャネルモード: エンハンスメント
IXTA26P20 典型的な応用例
• 高側スイッチ:自動車、産業用 24 V / 48 V バス
• 同期降圧または昇圧 DC-DC コンバーター
• モータ駆動:直流/ブラシレスモータ H ブリッジ高側アーム
• 電源管理:バッテリー保護、電子ヒューズ、固体リレー
• テストおよび測定機器の大電流スイッチングと負荷制御
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