商品名称:Nチャネル MOSFET
ブランド:IXYS
年:21+
パッヶージ:TO-252-5
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:5000 件
IXTY02N120P-TRLは、IXYSが開発したNチャネルMOSFETで、TO-252-3(DPAK)パッケージを採用し、高電圧スイッチング、電源管理、産業用制御など幅広いアプリケーションに適しています。このデバイスは1200Vの耐圧と200mAの連続ドレイン電流を特徴とし、金属酸化物半導体技術を採用することで、低オン抵抗と高速スイッチング性能を提供し、高電圧・低電流の電力変換回路に最適です。
IXTY02N120P 製品属性
製品種類: MOSFET
技術: Si
取り付け方式: SMD/SMT
パッケージ/ケース: DPAK-3 (TO-252-3)
トランジスタ極性: Nチャネル
チャネル数: 1チャネル
Vds-ドレイン・ソース間耐圧: 1.2 kV
Id-連続ドレイン電流: 200 mA
Rds On-ドレイン・ソース導通抵抗: 75 オーム
Vgs - ゲート-ソース電圧: - 20 V, + 20 V
最小動作温度: - 55 °C
最大動作温度: + 150 °C
Pd-電力消費: 33 W
IXTY02N120P 特徴
国際標準パッケージ
動的dv/dt定格値
低RDS(on)とQg
アバランシェ定格値
低パッケージインダクタンス
IXTY02N120P 応用
直流-直流コンバーター
バッテリーチャージャー
スイッチングモードおよび共振モード電源供給器
照明用安定器
交流および直流モータードライバー
ロボットとサーボ制御
レーザードライバー
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT 5x6
1500
Nチャネル 60 V、1.2 mΩ(典型値)、120 A STripFET F7 パワーMOSFET(PowerFLAT 5x6 パッケージ)
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
車載グレードNチャンネル80V、3.15mΩ(標準)、130A STripFET F7パワーMOSFET、PowerFLAT 5x6パッケージ
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IXYSは米国シリコンバレーに本社を置き、1983年に設立された主な事業内容:MOSFET、IGBT、サイリスタ、SCR、整流ブリッジ、ダイオード、DCBブロック、パワーモジュール、ハイブリッド、トランジスタ、インバータ、RFモジュール、マイコンなど事業は消費、自動車、医療、通…
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IXFH60N65X2-4 は、IXYSが発売するNチャネルパワーMOSFETで、HiPerFET™ X2-Class シリーズに属し、TO-247-4L パッケージを採用しています。連絡先電話:86-755-83294757
企業QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
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