NIS5132MN4TXGHWは、高性能NチャネルMOSFETで、その優れた性能と信頼性により、産業用制御機器、車載用電子機器、通信機器などの分野に最適です。
NIS5132MN4TXGHWは、先進のトレンチゲートプロセスを用いて製造されており、以下の優れた特長を持っています:
低オン抵抗:NIS5132MN4TXGHWのオン抵抗(RDS(on))は3.2mΩと低く、オン抵抗損失を効果的に低減し、システム効率を向上させます。
高速スイッチング:NIS5132MN4TXGHWは、ゲート電荷(Qg)と出力電荷(Qoss)が極めて低いため、高速スイッチングとスイッチング損失の低減が可能です。
優れたアバランシェ耐量:NIS5132MN4TXGHWは優れたアバランシェ耐量を持ち、高エネルギーのアバランシェ破壊に耐えることができるため、システムの信頼性が向上します。
RoHS対応:NIS5132MN4TXGHWは、環境要件を満たすためにRoHSに対応しています。
製品仕様
広い入力電圧範囲:4.5V~28Vの入力電圧をサポートします。
調整可能な出力電圧:出力電圧は外部抵抗で設定可能。
高効率:定格負荷時の効率は90%以上に達します。
過電流保護:過電流制限機能内蔵により、回路の安全性を確保。
パッケージタイプ:コンパクト設計のSOP-8パッケージ
動作温度範囲:-40℃~85
PWM変調対応:PWMモードに対応し、正確な負荷制御が可能。
NIS5132MN4TXGHW 幅広いアプリケーションに対応
NIS5132MN4TXGHWは、高効率と信頼性が要求される以下のような幅広いアプリケーションに使用できます:
産業用制御:モーター駆動、電力変換、インバーターなど
自動車用電子機器:電動パワーステアリング、バッテリー管理システム、カーチャージャーなど
通信機器:基地局電源、サーバー電源、ネットワーク機器など
民生用電子機器:ノートパソコン用アダプター、ゲーム機用電源、液晶テレビなど
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT 5x6
1500
Nチャネル 60 V、1.2 mΩ(典型値)、120 A STripFET F7 パワーMOSFET(PowerFLAT 5x6 パッケージ)
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
車載グレードNチャンネル80V、3.15mΩ(標準)、130A STripFET F7パワーMOSFET、PowerFLAT 5x6パッケージ
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
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答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
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NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrenchMOSFETは大電流を扱うように設計されています。これは直流-直流電源変換段にとって重要です。この40V、207A、シングルNチャネルパワーMOSFETは、より低いオン抵抗、より高いパワー密度、優れた放熱性能を備えています。この遮断ゲート槽…連絡先電話:86-755-83294757
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