商品名称:MOSFETトランジスタ
ブランド:Wolfspeed
年:24+
パッヶージ:TO-247-4
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:2000 件
C3M0120065KはTO-247-4パッケージの650Vディスクリート炭化ケイ素NチャンネルエンハンスメントモードMOSFETトランジスタです。ウォルフスピードは、第3世代650V MOSFETの発表により、炭化ケイ素(SiC)技術のリーダーシップを拡大し、より広範なパワーシステムにおいて、より小型、軽量、高効率の電力変換を可能にします。650 V MOSFET製品ファミリは、高性能産業用電源、サーバ/テレコム電源、電気自動車充電システム、エネルギー貯蔵システム、無停電電源装置、バッテリ管理システムなどのアプリケーションに最適です。
C3M0120065K - 650V、120mΩ、22A、TO-247-4パッケージのディスクリートSiC NチャンネルエンハンスメントモードMOSFETトランジスタ
主な特長
温度に対する低いオン抵抗
超低逆回復の高速ダイオード
高温動作(TJ = 175°C)
低リードインダクタンス
低熱インピーダンス
スイッチング損失と伝導損失の低減によるシステム効率の向上
高いスイッチング周波数動作が可能
システムレベルの電力密度の向上
モデル
ブランド
パッヶージ
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Wolfspeed(NYSE: NYSE)は、炭化ケイ素とGaN技術の世界的採用におけるマーケットリーダーです。 ウォルフスピードの製品ポートフォリオには、電気自動車、急速充電、5G、再生可能エネルギー、ストレージ、航空宇宙・防衛など、幅広いアプリケーションに対応する炭化ケイ…
C3M0280090J
C3M0280090Jは900 Vの炭化シリコンパワーMOSFETで、広い走行距離とドレインとソース間のギャップ距離(~8mm)を持っています。このデバイスは高週波パワーエレクトロニクス用途に最適化されています。典型的な用途は、再生可能エネルギー、照明、高電圧DC/DCコンバータ、電…C3M0160120D
c3m0160120dは3世代の平面mosfet技術の1200 vに基づいて、160 m、オメガ17 a炭化ケイ素パワーmosfetを遮断する电圧、高い低導通抵抗と静電容量高速のスイッチ。小型のto-247-3パッケージを採用した。典型的な用途としては、再生可能エネルギー、高電圧直流/直流変換器、ス…C3M0350120J
C3M0350120Jは第3世代平面MOSFET技術に基づいて1200 V、7.2 A炭化シリコンパワーMOSFET、高遮断電圧、低オン抵抗、低容量高速スイッチングです。小型のto-263-7パッケージを採用した。典型的な用途としては、再生可能エネルギー、高電圧直流/直流変換器、スイッチドモード…C2M0080120D
C2M0080120Dは1200 V、36 A炭化シリコンパワーMOSFETで、クラスの中で最も低いスイッチング損失と超高スイッチング周波数を持って、世界レベルの効率を提供します。これらのMOSFETは最適化されて、エネルギー効率の重要な高圧アプリケーションに適しています。例えば、高…C2M0025120D
c2m0025120d 1項は1200 v、オメガ25 m 炭化ケイ素パワーmosfet、同種のうち最低のスイッチを持つ読んだり、超スイッチング周波数の世界の効率を提供している。これらのMOSFETは最適化されて、エネルギー効率の重要な高圧アプリケーションに適しています。例えば、高圧電源…C3M0016120K1
c3m0016120k1は1200 v、工業基準に合うデザインの16 mオメガ炭化ケイ素パワーmosfet、高速スイッチング特性を持つ、静電容量が低く、高電圧をさえぎり、導通抵抗が低い。Wolfspeed 1200 V炭化シリコン(SiC)MOSFETシリーズは、UPS、モーター制御とドライブ、スイッチドモー…連絡先電話:86-755-83294757
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