RCX450N20は、10V駆動タイプのNチャネルパワーMOSFETで、電界中で効率の良いトランジスタのMOSFETです。 ファインプロセスによる「超低抵抗デバイス」の採用により、幅広い分野で使用可能なパワーMOSFETを提供し、用途に応じた小型・高出力の複合タイプの多彩なラインアップで、多様な市場ニーズにお応えします。
製品属性
メーカー:ローム半導体
製品分類:MOSFET
技術:Si
実装スタイル:スルーホール
パッケージ/ケース:TO-220-3
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャンネル数: 1チャンネル
Vds-ドレイン・ソース降伏電圧:200 V
Id-ドレイン連続電流:45 A
Rds-ドレインオン抵抗:42 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 30 V, + 30 V
Vgs th-ゲート・ソース間しきい値電圧:3 V
Qg-ゲート電荷: 80 nC
最低動作温度: - 55
最大動作温度:+ 150
Pd-消費電力:40 W
チャネルモード:エンハンスメント
シリーズ: RCX450N20
構成: Single
立ち下がり時間: 70 ns
製品タイプ: MOSFET
立ち上がり時間: 210 ns
工場出荷時のパッケージ数量: 500
サブカテゴリー: MOSFET
トランジスタタイプ: 1 Nチャンネル
標準オフ遅延時間: 90 ns
典型的なターンオン遅延時間:52 ns
ユニット重量: 2 g
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
車載用Nチャンネル・エンハンスメント・モード ロジック・レベル 40 V、0.75 mΩ最大、373 A STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル100V、5mΩ typ.、107A、PowerFLAT™ 5x6パッケージのSTripFET™ F7パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・エンハンスメントモード・ロジックレベル 40 V、0.8 mΩ最大、360 A、STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル 100 V、3.2 mΩ最大、158 A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
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ローム株式会社は、世界有数の半導体メーカーであり、日本の京都に本社を置き、半導体、集積回路、その他の電子部品の設計と製造を行っています。 これらのコンポーネントは、急速に変化し、成長しているワイヤレス、コンピューター、自動車、家電市場での地位を確立して…
BM63577S-VA
BM63577S-VAは、ゲートドライバ、ブートストラップダイオード、IGBT、回生用高速逆回復ダイオードを集積したインテリジェントパワーモジュール(IPM)です。BM64378S-VA
BM64378S-VAは、ゲートドライバ、ブートストラップダイオード、IGBT、回生用高速逆回復ダイオードを集積したインテリジェントパワーモジュール(IPM)です。BM64375S-VA
BM64375S-VA 600V IGBTインテリジェントパワーモジュール(IPM)は、ゲートドライバ、ブートストラップダイオード、IGBT、フライホイールダイオードを集積しています。BM63375S-VC
BM63375S-VCは、ゲートドライバ、ブートストラップダイオード、IGBT、フライホイールダイオードで構成されるインテリジェントパワーモジュールです。BM64374S-VA
BM64374S-VAは、ゲートドライバ、ブートストラップダイオード、IGBT、フライホイールダイオードで構成されるインテリジェントパワーモジュールです。BM63574S-VC
ロームセミコンダクタのBM63574S-VCは、ゲートドライバ、ブートストラップダイオード、IGBT、回生用高速逆回復ダイオードを集積したインテリジェントパワーモジュール(IPM)です。連絡先電話:86-755-83294757
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