商品名称:IPP65R155CFD7
データマニュアル:IPP65R155CFD7.pdf
ブランド:INFINEON
年:23+
パッヶージ:TO-220-3
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
IPP65R155CFD7は、高速ボディ・ダイオード内蔵の650V CoolMOS™ CFD7スーパージャンクションMOSFETで、共振型のハイパワー・トポロジーに最適です。ゲート電荷の低減、ターンオフ動作の改善、逆回復電荷の低減により、最高の効率と電力密度を実現し、さらに50Vの耐圧を備えています。
特長
超高速ボディダイオードと超低Qrr
耐圧650V
競合製品に比べてスイッチング損失を大幅に低減
温度に対するRDS(on)依存性が最も低い
利点
優れたハードコミュテーション耐性
バス電圧が上昇する設計に対する安全マージンの追加
電力密度の向上が可能
産業用SMPSアプリケーションにおける卓越した軽負荷効率
産業用SMPSアプリケーションにおける全負荷効率の向上
市場の代替製品と比較した価格競争力
潜在的アプリケーション
高速EV充電
サーバー電源
太陽エネルギーシステム用ソリューション
電気通信インフラ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT 5x6
1500
Nチャネル 60 V、1.2 mΩ(典型値)、120 A STripFET F7 パワーMOSFET(PowerFLAT 5x6 パッケージ)
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
車載グレードNチャンネル80V、3.15mΩ(標準)、130A STripFET F7パワーMOSFET、PowerFLAT 5x6パッケージ
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
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S29GL01GT10FHI010 は、1Gb(128M 8 ビット)の並列 NOR フラッシュメモリで、64-FBGA(1311mm)パッケージを採用しています。連絡先電話:86-755-83294757
企業QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
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