BSP613P は、インフィニオンの SIPMOS® シリーズに属する P チャネル強化型小信号 MOSFET で、トレンチ(Trench)プロセスで製造されています。60 V 中電圧、2.9 A クラスの負荷スイッチ、逆極性保護、および高側駆動用に設計されています。BSP613P は PG-SOT223-4(SOT-223 と同等)の表面実装パッケージで供給され、AEC-Q101 認証を取得し、自動車規格の信頼性要件を満たしています。
BSP613P 製品仕様
チャネルタイプ:Pチャネル(エンハンスメントモード)
最大ドレイン・ソース電圧(VDS):60V
連続ドレイン電流(ID):2.9A(Ta=25°C)
パルスドレイン電流(IDM):11.6A
ゲート・ソース電圧(VGS):±20V
入力容量(Ciss):715pF @ VDS = -25V
ゲート電荷(Qg):22nC @ VGS = -10V
パッケージ:SOT-223-4(放熱ヒートシンク付き)
準拠規格: AEC-Q101、RoHS
BSP613P 特性
強化モード
標準レベル
アバランシェ定格
高速スイッチング
dv/dt 定格
鉛フリー/鉛含有
RoHS 準拠、ハロゲンフリー
自動車規格準拠
PPAP 対応
BSP613P 応用
電子安定制御
電動パワーステアリング (EPS)
電気自動車用トラクションインバーター
プログラマブルロジックコントローラー (PLC)
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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