STW48N60M2デバイスは、MDmesh M2技術を使用して開発されたNチャネルパワーMOSFETです。ストリップレイアウトと改良された垂直構造により、このデバイスは低オン抵抗と最適化されたスイッチング特性を示し、最も要求の厳しい高効率コンバータに適しています。
製品属性
メーカー:STマイクロエレクトロニクス
製品タイプ: MOSFET
技術:Si
実装スタイル:スルーホール
パッケージ/ケース: TO-247-3
トランジスタ極性: Nチャンネル
チャンネル数: 1チャンネル
Vds-ドレイン-ソース降伏電圧: 600 V
Id-連続ドレイン電流: 42 A
Rds On - ドレイン-ソース間オン抵抗: 70 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 25 V, + 25 V
Vgs th - ゲート・ソースしきい値電圧:2 V
Qg - ゲート電荷: 70 nC
最低動作温度: - 55
最大動作温度:+ 150 C
Pd - 許容損失: 300 W
チャネルモード: エンハンスメント
ブランド名: MDmesh
シリーズ: STW48N60M2
構成: Single
ドロップタイム: 119 ns
製品タイプ: MOSFET
立ち上がり時間: 17 ns
工場出荷数量: 600
サブカテゴリー: MOSFET
標準オフ遅延時間: 13 ns
標準ターンオン遅延時間: 18.5 ns
単位重量: 6 g
用途
- スイッチング・アプリケーション
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT 5x6
1500
Nチャネル 60 V、1.2 mΩ(典型値)、120 A STripFET F7 パワーMOSFET(PowerFLAT 5x6 パッケージ)
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
車載グレードNチャンネル80V、3.15mΩ(標準)、130A STripFET F7パワーMOSFET、PowerFLAT 5x6パッケージ
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