商品名称:BSZ036NE2LSATMA1
データマニュアル:BSZ036NE2LSATMA1.pdf
ブランド:INFINEON
年:23+
パッヶージ:8-PowerTDFN
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:5000 件
BSZ036NE2LSATMA1は、NチャネルパワーMOSFETトランジスタで、非常に低いゲート電荷と出力電荷、非常に低いオン状態抵抗と小型パッケージサイズとの組み合わせにより、OptiMOS™ 25Vは、要求の厳しいサーバ、データコム、通信電圧調整器ソリューションに最適な選択肢です。
BSZ036NE2LSATMA1 の製品属性
製品番号: BSZ036NE2LSATMA1
Rds On - ドレイン-ソース間抵抗: 4.1 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 20 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース・スレッショルド電圧:2 V
Qg - ゲート電荷量: 16 nC
最低動作温度: - 55 C
BSZ036NE2LSATMA1 の特長
多相変換の相数を減らすことでシステム全体のコストを削減
あらゆる負荷条件下で消費電力を削減し、効率を向上させる。
CanPAK™、S3O8などの小型パッケージまたはパッケージ化されたシステム・ソリューションによる省スペース化。
システムEMIを大幅に低減し、外部バッファネットワークが不要になり、製品の設計が容易になる
集積回路チップ BSZ036NE2LSATMA1 NチャンネルMOSFETトランジスタ 8-PowerTDFN
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT 5x6
1500
Nチャネル 60 V、1.2 mΩ(典型値)、120 A STripFET F7 パワーMOSFET(PowerFLAT 5x6 パッケージ)
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
車載グレードNチャンネル80V、3.15mΩ(標準)、130A STripFET F7パワーMOSFET、PowerFLAT 5x6パッケージ
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