商品名称:NTH4L027N65S3F
データマニュアル:NTH4L027N65S3F.pdf
ブランド:ON
年:23+
パッヶージ:TO-247-4
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:3000 件
NTH4L027N65S3F SuperFET®III MOSFETは、電気通信、サーバー、電気自動車(EV)充電器、ソーラー製品の高出力密度、システム効率、超信頼性の要件を満たすために高圧超接合(SJ) NチャネルMOSFETです。このデバイスは優れた信頼性、低電磁干渉、超高効率、優れた熱性能を持っており、高性能アプリケーションに理想的です。高性能に加えて、SuperFET III MOSFETは豊富なパッケージオプションにより製品設計者に高い柔軟性を提供しています。
製品仕様です:
FETタイプ:Nチャネルです
技術:MOSFET(金属酸化物)です
リークソース電圧(Vdss): 650 Vです
25°C時電流-連続ドレイン(Id): 75A (Tc)です
駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 10Vです。
異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):27.4ミリオ@ 35A, 10Vです。
Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):5V @ 3mAです。
異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):259 nC @ 10 Vです。
Vgs(最大値):±30Vです
異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):7690 pF @ 400 V
FET機能:-です
消費電力分散(最大値):595W (Tc)です。
動作温度:-55℃~ 150℃(TJ)です。
取り付けタイプ:貫通穴です
サプライヤーデバイスパッケージ:to-244-4 lです。
パッケージ/ハウジング:to-247-4です。
基本品番:NTH4L027です。
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT 5x6
1500
Nチャネル 60 V、1.2 mΩ(典型値)、120 A STripFET F7 パワーMOSFET(PowerFLAT 5x6 パッケージ)
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
車載グレードNチャンネル80V、3.15mΩ(標準)、130A STripFET F7パワーMOSFET、PowerFLAT 5x6パッケージ
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