商品名称:NチャンネルMOSFET
ブランド:ST
年:24+
パッヶージ:PowerFLAT-4
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
このNチャネル・パワーMOSFETは、強化されたトレンチ・ゲート構造を特徴とするSTripFET F8技術を利用しています。
内部キャパシタンスとゲート電荷を低減し、より高速で効率的なスイッチングを実現しながら、非常に低いオン抵抗値を保証します。
特長
- AEC-Q101認定
- MSL1グレード
- 動作温度175 °C
- 100%アバランシェ・テスト済み
- ウェッタブル・フランク・パッケージ
用途
- スイッチング・アプリケーション
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT 5x6
1500
Nチャネル 60 V、1.2 mΩ（典型値）、120 A STripFET F7 パワーMOSFET（PowerFLAT 5x6 パッケージ）
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
車載グレードNチャンネル80V、3.15mΩ（標準）、130A STripFET F7パワーMOSFET、PowerFLAT 5x6パッケージ
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STMicroelectronics（ST）グループは、イタリアのSGSMicroelectronicsとフランスのThomsonSemiconductorの合併により1987年に設立されました。 1998年5月、SGS-THOMSONMicroelectronicsは社名をSTMicroelectronicsLimitedに変更しました。 STMicroelectronicsは、世界最大…
VND5N07TR
VND5N07TR は、OMNIFET II™ および VIPower™ シリーズに属する N チャネル パワー MOSFET で、DPAK（TO-252-3）パッケージを採用しています。
STPS41H100CG
STPS41H100CG は、双共陰極ショットキーダイオードアレイで、D2PAK（TO-263-3）パッケージを採用し、高周波スイッチング電源、DC-DCコンバーター、およびパワー管理回路に最適です。
STL220N6F7
STL220N6F7は、STマイクロエレクトロニクスのNチャネルパワーMOSFETで、STripFET™ F7シリーズに属し、PowerFLAT™（56mm）パッケージを採用しています。
L9963T
L9963Tは汎用SPIから絶縁SPIへのトランシーバーで、異なる電圧領域のデバイス間で通信ブリッジを確立するために使用されます。
LIS3MDLTR
LIS3MDLTRは、超低消費電力の高性能3軸磁気センサーで、4/8/12/16ガウスからユーザーが選択可能なフルスケール範囲を備えています。
STM32L151CBT6ATR
STM32L151CBT6ATRは、ARM Cortex-M3 コアをベースにした超低消費電力の32ビットマイクロコントローラーで、高性能と低消費電力の特性を備えています。連絡先電話：86-755-83294757
企業QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
サービス時間：9:00-18:00
連絡先メールボックス：sales@hkmjd.com
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