商品名称:NチャンネルMOSFET
ブランド:ST
年:24+
パッヶージ:PowerFLAT-4
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
このNチャネルパワーMOSFETは、強化されたトレンチゲート構造を持つSTripFET™ F7技術を利用しているため、オンステート抵抗が非常に低く、また内部容量とゲート電荷を低減して、より高速で効率的なスイッチングを実現します。
STL165N10F8AGの製品特性
製品カテゴリー MOSFET
テクノロジー Si
実装スタイル SMD/SMT
パッケージ/ケース パワーフラット4
トランジスタの極性 Nチャンネル
チャンネル数 1チャンネル
Vds-ドレイン・ソース降伏電圧:100 V
Id-連続ドレイン電流:107 A
Rds-ドレインオン抵抗:6 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧: - 20 V, + 20 V
Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧:4.5 V
Qg - ゲート電荷 72.5 nC
最低動作温度: - 55
最大動作温度 + 175 C
Pd-電力損失 136 W
チャンネル・モード エンハンスメント
構成 シングル
ダウンタイム: 20 ns
製品タイプ MOSFET
立ち上がり時間: 38 ns
工場出荷時パッケージ数量: 3000
サブカテゴリー MOSFET
トランジスタタイプ 1 Nチャンネル
標準オフ遅延時間: 48 ns
典型的なターンオン遅延時間 33 ns
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
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