商品名称:NチャンネルMOSFET
ブランド:INFINEON
年:24+
パッヶージ:PG-TO247-4-11
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
AIMZH120R030M1T車載用1200V G1 SiCトレンチMOSFETは、高電力密度、高効率、高信頼性を提供します。 高電力密度、優れた効率、双方向充電機能、大幅なシステムコスト削減により、車載充電器やDC-DCアプリケーションでの使用に最適です。TOおよびSMD部品は、スイッチング性能を最適化するケルビンソースピンも備えています。
製品属性
FETタイプ:Nチャンネル
技術:SiC(炭化ケイ素接合トランジスタ)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss):1200 V
25°Cでの連続ドレイン電流(Id): 69A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):18V、20V
異なるId、Vgsでのオン抵抗(最大): 38ミリオーム @ 27A、20V
異なるIdでのVgs(th)(最大): 5.1V @ 8.6mA
ゲート電荷(Qg)@Vgs(最大):57nC@20V
Vgs(最大):+23V、-5V
入力キャパシタンス(Ciss)(異なるVds(最大)時): 1738 pF @ 800 V
許容損失(最大): 326W(Tc)
動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
グレード:車載グレード
認定: AEC-Q101
実装タイプ:スルーホール
サプライヤーデバイスパッケージ: PG-TO247-4-11
パッケージ/ハウジング: TO-247-4
用途
車載用充電器およびPFC
ブースターおよびDC/DCコンバータ
補助インバータ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
車載用Nチャンネル・エンハンスメント・モード ロジック・レベル 40 V、0.75 mΩ最大、373 A STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル100V、5mΩ typ.、107A、PowerFLAT™ 5x6パッケージのSTripFET™ F7パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・エンハンスメントモード・ロジックレベル 40 V、0.8 mΩ最大、360 A、STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル 100 V、3.2 mΩ最大、158 A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
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