商品名称:NチャンネルMOSFET
ブランド:INFINEON
年:24+
パッヶージ:PG-TO247-4-14
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
AIMZHN120R080M1T車載用1200V G1 SiCトレンチMOSFETは、高電力密度、高効率、高信頼性を提供します。 高電力密度、優れた効率、双方向充電機能、および大幅なシステムコスト削減により、車載充電器およびDC-DCアプリケーションでの使用に最適です。TOおよびSMD部品は、スイッチング性能を最適化するケルビン・ソース・ピンも備えています。
特長
革命的な炭化ケイ素半導体材料
非常に低いスイッチング損失
オン電圧VGS(on)の20V向上
IGBT互換ドライブ電圧
0Vターンオフ・ゲート電圧
ベースライン・ゲートしきい値電圧: VGS(the) = 4.5V
クラス最高のスイッチング・エネルギー
低デバイス容量
スレッショルド・オン・ステート特性なし
温度に依存しないターンオフ・スイッチング損失
.XTチップ接続技術による優れた熱性能
完全に制御可能なdv/dt
スイッチング性能を最適化する検出ピン
高電圧沿面要件に適合
はんだブリッジのリスクを低減する細いリード線
整流ロバストダイオード、同期整流に使用可能
動作温度範囲:-55℃~+175
鉛フリー、ハロゲンフリー、RoHS対応
用途
自動車用充電器およびPFC
ブースターおよびDC/DCコンバータ
補助インバータ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
車載用Nチャンネル・エンハンスメント・モード ロジック・レベル 40 V、0.75 mΩ最大、373 A STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル100V、5mΩ typ.、107A、PowerFLAT™ 5x6パッケージのSTripFET™ F7パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・エンハンスメントモード・ロジックレベル 40 V、0.8 mΩ最大、360 A、STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル 100 V、3.2 mΩ最大、158 A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
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