商品名称:NチャンネルMOSFET
ブランド:INFINEON
年:24+
パッヶージ:PG-TO263-7-12
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
D2PAK-7L(TO-263-7)パッケージのIMBG120R234M2H CoolSiC™ MOSFET 1200V、234mΩ G2は、コスト最適化、効率的、コンパクトで信頼性の高いソリューションのシステム設計を加速するために、第1世代技術の利点を構築しています。 ジェネレーション2製品は、一般的なAC-DC、DC-DC、DC-ACクラスのすべての組み合わせにおいて、ハードスイッチング動作とソフトスイッチング・トポロジーの両方で主要な性能指標が大幅に改善されています。
製品属性
FETタイプ: Nチャンネル
技術:SiC(炭化ケイ素接合トランジスタ)
ドレイン-ソース間電圧(Vdss):1200 V
25℃における連続ドレイン電流(Id):8.1A(Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V、18V
異なるId、Vgsでのオン抵抗(最大): 233.9 mΩ@3A、18V
異なるIdでのVgs(th)(最大): 5.1V @ 900µA
ゲート電荷(Qg)(最大)、Vgs変化時: 7.9 nC @ 18 V
Vgs(最大):+20V、-7V
入力キャパシタンス(Ciss)、変動Vds時(最大):290 pF @ 800 V
許容損失(最大): 80W(Tc)
動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
実装タイプ: 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ: PG-TO263-7-12
パッケージ/ケース: TO-263-8、D2PAK(7リード+タブ)、TO-263CA
用途
電気自動車充電
産業用モーター駆動および制御
太陽光発電
無停電電源装置(UPS)
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
車載用Nチャンネル・エンハンスメント・モード ロジック・レベル 40 V、0.75 mΩ最大、373 A STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル100V、5mΩ typ.、107A、PowerFLAT™ 5x6パッケージのSTripFET™ F7パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・エンハンスメントモード・ロジックレベル 40 V、0.8 mΩ最大、360 A、STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル 100 V、3.2 mΩ最大、158 A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
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