商品名称:NチャンネルMOSFET
ブランド:INFINEON
年:24+
パッヶージ:PG-TO247-4-14
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
AIMZHN120R060M1T インフィニオンの性能最適化チップ技術(Gen1p)を採用したSiCモスフェットは、クラス最高のスイッチング性能、寄生ターンオンに対する堅牢性、RDSonとRth(j-c)の向上を実現します。 高電力密度、優れた効率、双方向充電機能、システムコストの大幅な低減により、車載充電器およびDCDCアプリケーションに最適です。
製品特性
トランジスタタイプ: Nチャンネル
技術:SiC(炭化ケイ素接合トランジスタ)
ドレイン・ソース間電圧(Vdss):1200 В
25°Cでの連続ドレイン電流(Id): 38A(Tc)
電源電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): 18V, 20V 18V, 20V
異なるId、Vgsにおけるスイッチング抵抗(最大): 75 mOhm @ 13A、20V
異なるIdにおけるVgs(th)(最大): 5.1V @ 4.3V 5.1V @ 4.3mA
ゲート電荷 (Qg) (最大): 32 nK @ 20V
Vgs (max): +23 V、-5 V
入力キャパシタンス(Ciss)(各Vds(最大)時): 880 pF @ 800 V
許容損失(最大): 197 W (Tc): 197 W (Tc).
動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
グレード:自動車グレード
認証:AEC-Q101
実装タイプ:スルーホール
サプライヤーデバイスパッケージ: PG-TO247-4-14
パッケージ/ケース: TO-247-4
用途
オンボード充電器
DC/DCコンバータ
補助ドライバ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
車載用Nチャンネル・エンハンスメント・モード ロジック・レベル 40 V、0.75 mΩ最大、373 A STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル100V、5mΩ typ.、107A、PowerFLAT™ 5x6パッケージのSTripFET™ F7パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・エンハンスメントモード・ロジックレベル 40 V、0.8 mΩ最大、360 A、STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル 100 V、3.2 mΩ最大、158 A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
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