商品名称:AIMZA75R020M1H
ブランド:INFINEON
年:24+
パッヶージ:PG-TO247-4
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
AIMZA75R020M1H 750VCoolSiC™は、インフィニオンが20年以上かけて開発した固体シリコンるつぼ技術に基づいて構築されています。 ワイドバンドギャップSiC材料の特性を活用し、インフィニオンが20年以上かけて開発した固体シリコンるつぼ技術に基づいて構築されており、性能、信頼性、融着性のユニークな組み合わせを実現しています。 高温・高湿度動作に適しており、最も簡素化され、コスト効率に優れ、最高のシステム効率を実現します。
製品属性
FETタイプ:Nチャンネル
技術:SiC(炭化ケイ素接合トランジスタ)
ドレイン・ソース間電圧(Vdss):750 V
25°Cでの連続ドレイン電流(Id): 75 A(Tj)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):15V、20V
異なるId、Vgsにおけるオン抵抗(最大): 18mOhm @ 32.5A、20V
異なるIdでのVgs(th)(最大): 5.6V @ 11.7mA
ゲート電荷 (Qg) at Vgs (max): 67 nC @ 18 V
Vgs(最大):+23V、-5V
入力キャパシタンス(Ciss)(異なるVds(最大)時): 2217 pF @ 500 V
許容損失(最大): 278W(Tc)
動作温度: -55°C ~ 175°C (TJ)
グレード:車載グレード
認定: AEC-Q101
実装タイプ:スルーホール
サプライヤーデバイスパッケージ: PG-TO247-4
パッケージ/ケース: TO-247-4
用途
車載充電器
車載用HV-LV DC-DCコンバータ
車載スタティック・スイッチ(eFuse、BMS)
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
車載用Nチャンネル・エンハンスメント・モード ロジック・レベル 40 V、0.75 mΩ最大、373 A STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル100V、5mΩ typ.、107A、PowerFLAT™ 5x6パッケージのSTripFET™ F7パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・エンハンスメントモード・ロジックレベル 40 V、0.8 mΩ最大、360 A、STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル 100 V、3.2 mΩ最大、158 A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
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TPS53689RSBR - デュアルチャネル、8相降圧、デジタル多相D-CAP+™コントローラ、VR14 SVIDおよびPMBus付き製品概要TPS53689RSBR は、2 チャネル、内蔵不揮発性メモリ (NVM)、および PMBus™ インターフェイスを備えた VR14 SVID 準拠の降圧コントローラで、TI NexFET™TPS536C5RSLR
TPS536C5RSLR - SVI3およびPMBus付き12相デジタル降圧多相コントローラ製品概要TPS536C5RSLR は、デュアル・チャネル、内蔵不揮発性メモリ (NVM)、および PMBus™ インターフェースを備えた AMD SVI3 準拠の降圧コントローラで、TI NexFET™ スマート・パワー・ステージとTPS53685RSBR
TPS53685RSBR - AMDプラットフォーム用SVI3およびPMBus付き8相デジタル降圧多相コントローラ製品概要TPS53685RSBR は、トランス・インダクタ電圧レギュレータ (TLVR) トポロジをサポートし、デュアル・チャネル、内蔵不揮発性メモリ (NVM)、PMBus™ インターフェイス、お連絡先電話:86-755-83294757
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