STW52NK25Z - TO-247パッケージの250V、45mΩ NチャンネルSuperMESHパワーMOSFETトランジスタ
部品番号 STW52NK25Z
パッケージ TO-247-3
タイプ MOSFETトランジスタ
説明 Nチャンネル 250V 52A(Tc) 300W(Tc) スルーホール TO-247-3
製品概要
STW52NK25Z - SuperMESH™シリーズは、STの定評あるストリップベースのPowerMESH™レイアウトを極限まで最適化することで実現しました。オン抵抗を大幅に低減することに加え、最も要求の厳しいアプリケーション向けに非常に優れたdv/dt能力を確保するために特別な配慮がなされています。本シリーズは、革新的なMDmesh™製品を含むSTの高耐圧MOSFET製品群を補完するものです。
製品属性
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(金属酸化物)
ドレイン・ソース間電圧(Vdss) 250 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 52A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
Rdsオン(最大)@Id、Vgs 45mΩ@26A、10V
Vgs(th) (最大)@Id 4.5V @ 150µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 160 nC @ 10 V
Vgs (最大) ±30V
入力キャパシタンス(Ciss)(最大)@ Vds 4850 pF @ 25 V
許容損失(最大) 300W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
実装タイプ スルーホール
サプライヤー デバイスパッケージ TO-247-3
パッケージ/ケース TO-247-3
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
車載用Nチャンネル・エンハンスメント・モード ロジック・レベル 40 V、0.75 mΩ最大、373 A STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル100V、5mΩ typ.、107A、PowerFLAT™ 5x6パッケージのSTripFET™ F7パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・エンハンスメントモード・ロジックレベル 40 V、0.8 mΩ最大、360 A、STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル 100 V、3.2 mΩ最大、158 A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
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このNチャネル・パワーMOSFETは、強化されたトレンチ・ゲート構造を特徴とするSTripFET F8技術を利用しています。連絡先電話:86-755-83294757
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