商品名称:XPQR3004PB
データマニュアル:XPQR3004PB.pdf
ブランド:TOSHIBA
年:23+
パッヶージ:8-PowerBSFN
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
XPQR3004PBはシリコンNチャンネルMOSトランジスタです。
製品属性
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(酸化金属)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss): 40 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): 6V、10V
Rdsオン(最大)@Id、Vgs: 0.3mΩ@200A、10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@Vgs: 295 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
入力キャパシタンス(Ciss)(最大)@ Vds: 26910 pF @ 10 V
許容損失(最大) 750W (Tc)
動作温度 175°C
実装タイプ: 表面実装 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ L-TOGL™
パッケージ/ケース: 8-PowerBSFN
特長
AEC-Q101準拠
低ドレイン・ソースオン抵抗 RDS(ON) = 0.23 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
低リーク電流:IDSS = 10μA (max) (VDS = 40 V)
エンハンスメントモード Vth = 2.0~3.0 V (VDS = 10 V、ID = 1.0 mA)
用途
車載用
スイッチング電圧レギュレータ
モータドライバ
DC-DCコンバータ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
車載用Nチャンネル・エンハンスメント・モード ロジック・レベル 40 V、0.75 mΩ最大、373 A STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル100V、5mΩ typ.、107A、PowerFLAT™ 5x6パッケージのSTripFET™ F7パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・エンハンスメントモード・ロジックレベル 40 V、0.8 mΩ最大、360 A、STripFET F8 パワーMOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル 100 V、3.2 mΩ最大、158 A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
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