商品名称:XPQR3004PB
データマニュアル:XPQR3004PB.pdf
ブランド:TOSHIBA
年:23+
パッヶージ:8-PowerBSFN
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:1000 件
XPQR3004PBはシリコンNチャンネルMOSトランジスタです。
製品属性
FETタイプ Nチャンネル
技術 MOSFET(酸化金属)
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss): 40 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C: 400A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): 6V、10V
Rdsオン(最大)@Id、Vgs: 0.3mΩ@200A、10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@Vgs: 295 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
入力キャパシタンス(Ciss)(最大)@ Vds: 26910 pF @ 10 V
許容損失(最大) 750W (Tc)
動作温度 175°C
実装タイプ: 表面実装 表面実装
サプライヤーデバイスパッケージ L-TOGL™
パッケージ/ケース: 8-PowerBSFN
特長
AEC-Q101準拠
低ドレイン・ソースオン抵抗 RDS(ON) = 0.23 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
低リーク電流:IDSS = 10μA (max) (VDS = 40 V)
エンハンスメントモード Vth = 2.0~3.0 V (VDS = 10 V、ID = 1.0 mA)
用途
車載用
スイッチング電圧レギュレータ
モータドライバ
DC-DCコンバータ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT-4
1000
Nチャンネル・ロジックレベル40V、最大2.2mΩ、167A STripFET F8 PowerFLAT 5x6パッケージのパワーMOSFET
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TW140Z120C
TW140Z120Cはto-247-4パッケージ形式の20A、1200Vの第3世代炭化シリコンMOSFETです。大電力の工業用に設計されています。例えば、400Vと800Vの交流入力交流-直流電源、太陽光(PV)インバータ、無停電電源(UPS)用の双方向直流-直流コンバータなどです。TW140Z120Cの仕様です…TW060Z120C
TW060Z120Cは、36A・1200Vの第3世代炭化ケイ素MOSFETのto-247-4パッケージです。スペックですFETタイプ:Nチャネルです技術:SiCですドレインソース電圧(Vdss): 1200 Vです25C時電流-連続ドレイン(Id): 36A (Tc)です駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 18Vです。異なるId、…TW045Z120C
TW045Z120C——40A、1200V第三世代炭化ケイ素MOSFETですFETタイプ:Nチャネルです技術:SiCですドレインソース電圧(Vdss): 1200 Vです25C時電流-連続ドレイン(Id): 40A (Tc)です駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 18Vです。異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):62ミリオ@ 20A…TW015Z120C
TW015Z120Cは100A、1200Vの第三世代炭化シリコンMOSFETデバイスで、大電力の工業用途のために設計されています。例えば、400Vと800Vの交流入力交流-直流電源、太陽光発電(PV)インバータ、および無停電電源(UPS)の双方向直流-直流変換器です。TW015Z120C(パラメーター)です…TW015Z65C
TW015Z65Cは100A、650Vの第3世代カーバイドMOSFETで、高電圧、高速スイッチ、低オン抵抗を備えています。このMOSFETは、高出力の工業用途に設計されています。例えば、400Vと800Vの交流入力交流-直流電源、太陽光発電(PV)インバータ、および無停電電源(UPS)の双方向直流-…TW027Z65C
TW027Z65Cデバイスは58A、650Vの第3世代カーバイドMOSFETで、高電圧、高速スイッチ、低オン抵抗を備えています。このMOSFETは、高出力の工業用途に設計されています。例えば、400Vと800Vの交流入力交流-直流電源、太陽光発電(PV)インバータ、および無停電電源(UPS)の双方…連絡先電話:86-755-83294757
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