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NTBG023N065M3S
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET EliteSiC, 23 mohm, 650 V, M3S, d2pak-7l

パッヶージ:D2PAK-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBL060N065SC1
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)MOSFETEliteSiC、44mohm、650V、M2、TOLL

パッヶージ:TOLL
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL023N065M3S
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET EliteSiC, 23 mohm, 650 V, M3S, to-247-3lです

パッヶージ:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTC040N120SC1
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC) MOSFET EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, Die

パッヶージ:Die
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH400B100H4Q2F2SG
ON

製品の説明:IGBTモジュール1000 V 164 A 396 W台に50-PIM (93x47)カーバイドダイオードを取り付けます。

パッヶージ:PIM-50
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCH-RSL15-512-101WC40-ABG
ON

製品の説明:スマートなコネクテッドデバイスのために設計されたbluetooth 5.2のセキュアなワイヤレスMCUです。

パッヶージ:WLCSP-40
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH007F120M3F2PTHG
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)モジュール - EliteSiC、7 mohm SiC M3S MOSFET、1200 V、4パックフルブリッジトポロジ、F2パッケージ

パッヶージ:34-PIM
10起
2800
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AR0822NPSM10SMTA0-DR
ON

製品の説明:8MP Hyperlux™ LHイメージセンサ、BGA-75

パッヶージ:BGA-75
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AR0820ATSC18XMEA0-TRBR
ON

製品の説明:高解像度1/2型CMOSデジタルイメージセンサ

パッヶージ:BGA-95
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFS7D5N15MC
ON

製品の説明:150V NチャンネルMOSFETトランジスタ、面実装PQFN-8(5x6)

パッヶージ:PQFN-8
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCIV9401R2
ON

製品の説明:デジタル・アイソレータ 5000Vrms 4チャンネル 10Mbps 100kV/µs CMTI 16-SOIC(0.295インチ、7.50mm幅)

パッヶージ:SOIC-16
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NFAQ1560R43TL
ON

製品の説明:インテリジェントパワーモジュール(IPM)、600V、15A、EMI最適化バージョン

パッヶージ:DIP-38
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NOIP1FN1300A-QTI
ON

製品の説明:CMOSイメージセンサー、1.3MP(SXGA)、グローバルシャッター

パッヶージ:LCC-48
10起
6000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FFSH5065B-F155
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)ショットキーダイオード - EliteSiC、50A、650V、D2、TO-247-2L

パッヶージ:TO-247-2
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FFSH2065B-F155
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)ショットキーダイオード - EliteSiC、20A、650V、D2、TO-247-2L

パッヶージ:TO-247-2
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FFSH2065BDN
ON

製品の説明:炭化ケイ素(SiC)ショットキーダイオード - EliteSiC、20A、650V、D2、TO-247-3L

パッヶージ:TO-247-3
10起
30000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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