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NVGS3443T1Gは、幅広いパワーマネージメントおよび信号制御アプリケーション向けの高性能PチャネルMOSFETです。 TSOP-6パッケージで提供されるこのチップは、低オン抵抗と高効率を特長とし、車載エレクトロニクス、パワー・マネージメント、バッテリ・マネージメント・システムなどの幅広いアプリケーションに対応します。

NVGS3443T1G技術仕様

タイプ：PチャンネルMOSFET

ドレイン・ソース電圧（Vdss）：-20V

連続ドレイン電流（Id）：最大4.4A（Ta=25）

オン抵抗（RDS(on)）：65mΩ（@4.5V、4.4A）

動作温度範囲： -55°C～+150°C (Tj)

パッケージ形状：TSOP-6

その他の特性

スレッショルド電圧 (Vgs(th)): 1.5V

ゲート電荷量 (Qg): 7.5nC (@4.5V)

入力容量(Ciss): 565pF (@5V)

逆方向転送容量（Crss）：120pF

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