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AI アクセラレータ

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BM64375S-VA

製品の説明:600V IGBTインテリジェントパワーモジュール(IPM)

パッヶージ:HSDIP-25
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BM63375S-VC

製品の説明:600V IGBTインテリジェントパワーモジュール(IPM)

パッヶージ:HSDIP-25
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BM64374S-VA

製品の説明:600V IGBTインテリジェントパワーモジュール(IPM)搭載

パッヶージ:HSDIP-25
10起
1800
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BM63574S-VC

製品の説明:600V IGBTインテリジェントパワーモジュール(IPM)搭載

パッヶージ:HSDIP-25
10起
1800
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BM3G015MUV-LBE2

製品の説明:ナノキャップ™、EcoGaN™、650V 150mΩ 2MHz、GaN HEMTパワーステージIC

パッヶージ:VQFN-46
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3040KRC15

製品の説明:1200V Nチャンネル4ピンパッケージSiC(炭化ケイ素)MOSFET

パッヶージ:TO-247-4L
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3040KRHRC15

製品の説明:1200V、55A、4ピンTHD、トレンチ構造車載用SiC-MOSFET

パッヶージ:TO-247-4L
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3030ARHRC15

製品の説明:650V、70A、4ピンTHD、トレンチ構造車載用SiC-MOSFET

パッヶージ:TO-247-4L
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS50TSX2DGC11

製品の説明:IGBT 溝付きフィールドカットオフ 1200 V 50 A 395 Wスルーホール TO-247N

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGWX5TS65HRC11

製品の説明:IGBT 溝付きフィールドカットオフ 650 V 132 A 348 W スルーホール TO-247N

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW00TS65DHRC11

製品の説明:IGBT トレンチタイプ フィールドカットオフ 650 V 96 A 254 W スルーホール TO-247N

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS50TSX2GC11

製品の説明:IGBT 溝付きフィールドカットオフ 1200 V 50 A 395 Wスルーホール TO-247N

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTV00TK65DGC11

製品の説明:IGBT トレンチタイプ フィールドカットオフ 650 V 45 A 94 W スルーホール TO-3PFM

パッヶージ:TO-3PFM
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS30TSX2DGC11

製品の説明:IGBT 溝付きフィールドカットオフ 1200 V 30 A 267 Wスルーホール TO-247N

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW80TS65DHRC11

製品の説明:IGBT 溝付きフィールドカットオフ 650 V 80 A 214 Wスルーホール TO-247N

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW00TK65DGVC11

製品の説明:IGBT トレンチタイプ フィールドカットオフ 650 V 45 A 89 W スルーホール TO-3PFM

パッヶージ:TO-3PFM
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
合計199レコード«前のページ12345...13次のページ»
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