商品名称:炭化ケイ素(SiC)MOSFET
ブランド:ROHM
年:24+
パッヶージ:TO-263-7
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:3000 件
SCT3160KWAHRTLは1200V、17A自働車用SiC(炭化ケイ素)溝MOSFETです。耐高圧、低オン抵抗、高速スイッチング速度が特徴です。小型のto-263-7パッケージを採用し、aec-q101規格に準拠しています。
SCT3160KWAHRTLの規格です:
FETタイプ:Nチャネルです
技術:SiC(炭化ケイ素接合トランジスタ)です
ドレインソース電圧(Vdss): 1200 Vです
25°C時電流-連続ドレイン(Id): 17A (Tc)です
駆動電圧(最大Rds On、最小Rds On): 18Vです。
異なるId、Vgs時オン抵抗(最大値):208ミリオ@ 5A, 18Vです。
Idが異なる場合Vgs(th)(最大値):5.6V @ 2.5mAです。
異なるVgs時ゲート電荷(Qg)(最大値):42 nC @ 18 Vです。
Vgs(最大値):+22V, -4Vです
異なるVds時入力容量(Ciss)(最大値):398 pF @ 800 Vです。
FET機能:-です
パワー散逸(最大値):-です
動作温度:175°C (TJ)です
レベル:自動車レベルです
資質:aec-q101です。
装着タイプ:表面装着タイプです。
サプライヤーデバイスパッケージ:to-263 -7LAです。
パッケージ/ケース:to-263-8、D2PAK(7リード+凸)、to-263caです。
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ローム株式会社は、世界有数の半導体メーカーであり、日本の京都に本社を置き、半導体、集積回路、その他の電子部品の設計と製造を行っています。 これらのコンポーネントは、急速に変化し、成長しているワイヤレス、コンピューター、自動車、家電市場での地位を確立して…
RGS00TS65EHRYC13
RGS00TS65EHRYC13 は、650V/50A の超高速スイッチング型IGBTで、ROHM Field Stop Trench IGBT シリーズに属し、高効率な電源変換用に設計されています。RGE60TS65DGC13
RGE60TS65DGC13フィールド遮断チャネルIGBTは、低い集電電極-エミッタ飽和電圧、低いスイッチング損失、短絡耐性時間(5μs)を特徴とします。このIGBTは、高圧力下での確実な動作を保証します。高速ソフトリカバリFRDを内蔵して効率を高め、鉛フリーメッキはRoHS規格に準拠…SCT4062KWATL
SCT4062KWATLは、1200 V 24A NチャネルSiCパワーMOSFETトランジスタです。SCT4062KWATL の特徴低オン抵抗高速スイッチング速度高速逆回復並列化が容易駆動が簡単Pbフリー鉛めっき; RoHS準拠広がり距離 = 最小4.7 mmSCT4062KWATL の用途太陽光発電インバーターDC/DCコンバ…SCT4045DWATL
SCT4045DWATLは、750 V 31A NチャネルSiCパワーMOSFETトランジスタです。SCT4045DWATL の特徴低オン抵抗高速スイッチング速度高速逆回復並列化が容易駆動が簡単Pbフリー鉛めっき; RoHS準拠広がり距離 = 最小4.7 mmSCT4045DWATL の用途太陽光発電インバーターDC/DCコンバー…SCT4045DWAHRTL
SCT4045DWAHRTLは、750 V 31Aの自動車用NチャネルSiCパワーMOSFETトランジスタです。SCT4045DWAHRTL の特長AEC-Q101規格に準拠低オン抵抗高速スイッチング速度高速逆回復並列化が容易駆動が簡単Pbフリー鉛めっき; RoHS準拠広がり距離 = 最小4.7 mmSCT4045DWAHRTL の用途自…SCT4026DWATL
SCT4026DWATLは、750 V 51A NチャネルSiCパワーMOSFETトランジスタです。SCT4026DWATL の特徴低オン抵抗高速スイッチング速度高速逆回復並列化が容易駆動が簡単Pbフリー鉛めっき; RoHS準拠広がり距離 = 最小4.7 mmSCT4026DWATL の用途太陽光発電インバーターDC/DCコンバー…連絡先電話:86-755-83294757
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