商品名称:GaN FET
ブランド:Nexperia
年:24+
パッヶージ:WLCSP-22
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:3000 件
ganb4r8−040 cbaz双方向gan fetは一种の40 v 4.8 m、オメガ双方向窒化ガリウム(gan)電子トランジスタ(hemt)移転率も高い。ganb4r8-040cbaは、常時クローズドemode FETとして優れた性能を備えています。
特性です:
エンハンスメントモード常時電源スイッチです
双方向デバイスです
超高速スイッチングスピード能力です
超低オン抵抗です
RoHS指令準拠,鉛フリー,REACH規格準拠です
高効率と高出力密度です
ウエハレベルチップサイズパッケージ(WLCSP): 2.1mm x 2.1mmです。
応用です:
高側負荷スイッチです
スマートフォンのUSBポートでのOVP保護です
電源スイッチ回路です
予備電源システムです
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Nexperia
CCPAK1212i
3000
窒化ガリウム(GaN) FET表面実装型Nチャネル650 V 58.5A (Tc) 250W (Tc) CCPAK1212i
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PSC2065JJ
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NSF060120D7A0Jは炭化シリコンベースの出力1200 VのMOSFETで、標準7ピンのto-263プラスチックパッケージ(PCB表面実装用)を採用し、優れたRDSon温度安定性を有しています。このMOSFETは、電気自動車の充電インフラ、太陽光インバータ、モータードライブなど、高出力と高圧…連絡先電話:86-755-83294757
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