商品名称:MOSFETトランジスタ
ブランド:Nexperia
年:24+
パッヶージ:TO-247-3
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:3000 件
NSF040120L3A0Q - 1200V、40mΩ、NチャンネルSiC MOSFETトランジスタ
製品概要
NSF040120L3A0Qは、スルーホールPCB実装技術で定評のある3ピンTO-247-3プラスチックパッケージの炭化ケイ素ベースの1200VパワーMOSFETトランジスタです。優れたRDSon温度安定性と高速スイッチング速度により、E-ビークル充電インフラ、太陽光発電インバータ、モーター駆動などの高出力・高電圧産業用アプリケーションに最適な製品です。
特長と利点
- 優れたRDSon温度安定性
- 非常に低いスイッチング損失
- 高速逆回復
- 高速スイッチング速度
- 温度に依存しないターンオフ・スイッチング損失
- 非常に高速で堅牢なボディダイオード
用途
- 電子車両用充電インフラ
- 太陽光発電インバーター
- スイッチモード電源
- 無停電電源装置
- モーター・ドライブ
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
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PSC2065JJ
PSC2065JJ SiCショットキーダイオードは、超高性能、低損失、高効率の電力変換アプリケーション向けです。TO-263-2スルーホールパワープラスチックパッケージに封止されたSiCショットキーダイオードは、温度に依存しない容量性ターンオフ、ゼロリカバリースイッチング動作…PSC2065LQ
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gan039−650 ntbz 1項は650 v、33 mオメガ窒化ガリウム(gan) fet、采ccpak1212i倒装実装、低インダクタンス、スイッチ読んだりと高い信頼性を持つ。gan039-650 ntbzの規格です:FETタイプ:Nチャネルです技術:GaNFET(窒化ガリウム)ですリークソース電圧(Vdss): 650 Vです25…GAN039-650NBBHP
gan039−650 nbbhp 1項は650 v、33 mオメガ窒化ガリウム(gan) fet、ccpak1212パッケージを采用。ワイヤレスボンディングを採用し、放熱と電気性能を最適化し、複雑なドライブや制御を必要としない、共源共柵構成を提供します。gan039-650 nbbhpの仕様です:FETタイプ:Nチャ…GANB4R8-040CBAZ
ganb4r8−040 cbaz双方向gan fetは一种の40 v 4.8 m、オメガ双方向窒化ガリウム(gan)電子トランジスタ(hemt)移転率も高い。ganb4r8-040cbaは、常時クローズドemode FETとして優れた性能を備えています。特性です:エンハンスメントモード常時電源スイッチです双方向デバイ…GANE3R9-150QBAZ
gane3r9−150 qbaz窒化ガリウム(gan) fet 1項のgmは150 v 3.9 m、オメガ窒化ガリウム(gan) fet。gane3r9-150qbaは、優れた性能と非常に低いオン抵抗を持つ常閉モードデバイスです。Nexperia gane3r9-150qbaは、薄型四方扁平ワイヤレスパッケージ(VQFN)を採用しています。…連絡先電話:86-755-83294757
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