STD10NM60Nデバイスは、第2世代MDmesh技術で開発されたNチャネルパワーMOSFETです。この革新的なパワーMOSFETは、垂直構造と当社のストリップレイアウトを組み合わせることで、世界最低レベルのオン抵抗とゲート電荷を実現し、最も厳しい要件を課す高効率コンバータに最適です。
STD10NM60N 機能
100% アバランシェテスト
低入力容量と低ゲート電荷
低ゲート入力抵抗
STD10NM60N 仕様
メーカー: STMicroelectronics
製品タイプ: MOSFET
技術: Si
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ / 筐体: DPAK-3 (TO-252-3)
トランジスタ極性: Nチャネル
チャネル数: 1チャネル
Vds-ドレイン・ソース間ブレークダウン電圧: 600 V
Id-連続ドレイン電流: 10 A
Rds On-オン抵抗: 550 mΩ
Vgs - ゲート-ソース電圧: - 25 V, + 25 V
Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧: 2 V
Qg-ゲート電荷: 19 nC
最低動作温度: - 55 ℃
最高動作温度: + 150 ℃
Pd-消費電力: 70 W
チャネルモード: エンハンスメント
商標名: MDmesh
STD10NM60N アプリケーション
• スイッチングアプリケーション
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
ST
PowerFLAT 5x6
1500
Nチャネル 60 V、1.2 mΩ(典型値)、120 A STripFET F7 パワーMOSFET(PowerFLAT 5x6 パッケージ)
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
車載グレードNチャンネル80V、3.15mΩ(標準)、130A STripFET F7パワーMOSFET、PowerFLAT 5x6パッケージ
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