商品名称:IXYX50N170C
データマニュアル:IXYX50N170C.pdf
ブランド:IXYS
年:23+
パッヶージ:TO-247
納期:新品のオリジナルです
在庫数量:3000 件
IXYX50N170Cは1700V 178Aの高電圧XPTTM IGBTデバイスで、ゲート駆動要件が低く、高電力密度が特徴です。典型的な用途には、スイッチングモードと共振モード、電力供給、無停電電源(UPS)、レーザ発生器、容量放電回路、交流スイッチなどがあります。
製品仕様です:
IGBTタイプ:-です
電圧-輻射破壊(最大値):1,700 Vです
電流-コレクタ(Ic)(最大値):178 Aです
電流-集電パルス(Icm): 460 Aです
異なるVge、Ic時Vce(on)(最大値):3.7V @ 15V, 50A
出力-最大値:1500 Wです
スイッチエネルギー:8.7mJ(オン)、5.6mJ(オフ)です。
入力タイプ:標準です。
ゲート電荷:260 nCです
25°CでのTd(オン/オフ)値は20ns/180nsです。
条件は850V, 50A, 1オーム,15Vです
逆回復時間(trr): 44 nsです。
動作温度:-55℃~ 175℃(TJ)です。
取り付けタイプ:貫通穴です
パッケージ/ハウジング:to-247-3バリエーションです。
ベンダーデバイスパッケージ:PLUS247™-3です。
基本品番:IXYX50です
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
INFINEON
TO-247-3
10000
ARM® Cortex®-M0 STM32F0 マイクロコントローラ IC 32 ビットシングルコア 48MHz 256KB(256K x 8)フラッシュメモリ
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IXYSは米国シリコンバレーに本社を置き、1983年に設立された主な事業内容:MOSFET、IGBT、サイリスタ、SCR、整流ブリッジ、ダイオード、DCBブロック、パワーモジュール、ハイブリッド、トランジスタ、インバータ、RFモジュール、マイコンなど事業は消費、自動車、医療、通…
IXFH60N65X2-4
IXFH60N65X2-4 は、IXYSが発売するNチャネルパワーMOSFETで、HiPerFET™ X2-Class シリーズに属し、TO-247-4L パッケージを採用しています。DLA60I1200HA
DLA60I1200HA は、IXYS が発売した 1200V/60A の汎用整流器で、TO-247-2(TO-247AD)パッケージを採用し、高出力整流、産業用電源、モーター駆動など幅広いアプリケーションに適用可能です。IXFH60N50P3
IXFH60N50P3は、高電力スイッチングアプリケーション向けに設計されたHiPerFET™ Polar3™シリーズに属するNチャネルパワーMOSFETです。IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は、最大150 kHzのスイッチング能力を提供し、電流範囲は66Aです。高スイッチング速度と低伝導損失の組み合わせは、電源設計者に価値の高い新しいスイッチングアプリケーションの選択肢を提供します。この製品は以下…IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1は、主に10 ~ 30kHzのスイッチング用のIGBT(絶縁ゲートバイ極トランジスタ)です。この製品は以下の主要なパラメータを持っています:IGBTタイプ:PTです電圧-輻射破壊(最大値):600 Vです電流-コレクタ(Ic)(最大値):200 Aです電流-集電パルス(Icm): 440 Aです…IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は,XPT薄ウエハー技術と溝型IGBTプロセスで開発しました。このトランジスタは低い熱抵抗を持ち,低いスイッチング損失を実現するために最適化されています。特徴と仕様は以下の通りです。特徴ですスイッチング損失が…連絡先電話:86-755-83294757
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