商品名称:SiC MOSFETモジュール
ブランド:IXYS
年:24+
パッヶージ:SOT-227-4
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:2000 件
IXFN50N120SICは、Nチャンネル 1200V 47A SiC MOSFETモジュールです。
仕様
タイプ ハイパーFET
技術 SiC
Vgs - ゲート-ソース電圧: - 20 V、+ 20 V
マウントスタイル スクリューマウント
パッケージ/ケース: SOT-227-4
最低動作温度: - 55
最大動作温度 + 155 C
構成 シングル
立ち下がり時間: 19 ns
Id-連続ドレイン電流: 47 A
チャンネル数 1チャネル
Rds On - ドレイン-ソース間抵抗: 50 mOhms
立ち上がり時間: 9 ns
トランジスタの極性 Nチャンネル
標準ターンオフ遅延時間:75 ns
標準ターンオン遅延時間:23 ns
Vds - ドレイン-ソース降伏電圧:1.2 kV
Vgs th - ゲート-ソースしきい値電圧: 2 V
ユニット重量: 59.703 g
特長
低容量で高速スイッチング
高ブロッキング電圧、低RDS(on)
並列化が容易で駆動が簡単
アバランシェ耐量
ラッチアップに強い
用途
ソーラーインバータ
高電圧DC/DCコンバータ
モータードライブ
スイッチモード電源
UPS
バッテリーチャージャー
誘導加熱
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Microchip
SOT-227
1000
SiC MOSFETモジュールNチャンネル1200 V 55A (t) 245W (t) sot-227 (ISOTOP®)です。
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