商品名称:SiC MOSFETモジュール
ブランド:ON
年:24+
パッヶージ:PIM-22
納期:真新しいオリジナル
在庫数量:3000 件
NXH040F120MNF1PG: 炭化ケイ素(SiC)モジュール - 1200V、40mΩ、SiC MOSFETモジュール
モデル: NXH040F120MNF1PG
パッケージ: PIM-22
タイプ: SiCモジュール - SiC MOSFETモジュール
概要
NXH040F120MNF1PGは、F1モジュールに40ΩのSiC MOSFETフルブリッジとNTCサーミスタを内蔵したSiC MOSFETモジュールです。
NXH040F120MNF1PG - 製品仕様:
技術:炭化ケイ素(SiC)
構成:4 Nチャンネル
ドレイン-ソース間電圧(Vdss):1200V(1.2kV)
25°Cでの連続ドレイン電流(Id): 30A(Tc)
異なるId、Vgsにおけるオン抵抗(最大): 56 mOhm @ 25A、20V
異なるIdでのVgs(th)(最大): 4, 3V @ 10mA
ゲート電荷(Qg)@Vgs(最大):122.1nC@20V
入力キャパシタンス(Ciss)@変動Vds(最大): 1505pF @ 800V
電力 - 最大: 74W(Tj)
動作温度: -40°C ~ 175°C (Tj)
実装タイプ:シャーシマウント
パッケージ/ケース: Module
サプライヤーデバイスパッケージ: 22-PIM (33.8x42.5)
モデル
ブランド
パッヶージ
数量
説明
Microchip
SOT-227
1000
SiC MOSFETモジュールNチャンネル1200 V 55A (t) 245W (t) sot-227 (ISOTOP®)です。
答え:すべてのオンライン商品はオンラインで注文することができますが、現物の在庫の流動性が大きいことを考慮して、現在はまだ100%の正確さを実現できません。異常がある場合は、オンラインで弊社に連絡し、対応するソリューションを提供できます。
答:私达の自営商品はすべて协力の国内外の原工场あるいは授権代理店から采取して、出所はすべて遡ることができて、原装正品を确保します。
答え:現在、私たちの自営代理店 TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX などの一線ブランドが含まれており、その他のルートはすべて元の工場と代理ルートである。必要に応じて、具体的なブランドモデルについて確認することができます。
答:ウェブサイトから、または電話やメールでお問い合わせいただけます。
答え:ほとんどの商品情報には納期が表示されています。納期に基づいて商品の出荷時間を推定することができます。具体的な入荷時間は、商品の具体的な倉庫、選択した物流方式によって異なります。
答:個人ユーザーのために普通の領収書を発行することができて、企業ユーザーのために付加価値税専用の領収書を発行することができます。
ON Semiconductor(Nasdaq:ON)は、エネルギー効率の高い電子機器向けの高性能シリコンソリューションの主要サプライヤーです。 同社の製品ポートフォリオには、電力および信号管理、ロジック、ディスクリートおよびカスタムデバイスが含まれており、自動車、通信、コン…
NXH020P120MNF1PG
NXH020P120MNF1PGは、F1モジュールに20 mΩ 1200V SiC MOSFETハーフブリッジとNTCサーミスタを内蔵したSiC MOSFETモジュールです。NXH020P120MNF1PGの特長20 m/1200 V SiC MOSFETハーフブリッジサーミスタ熱界面材(TIM)付きとTIMなしのオプション圧入ピンNXH020P120MNF…FSBB10CH120DFL
FSBB10CH120DFLはモーションSPM3モジュールで、インバータ出力段をフル機能、高性能、BLDC、PMSMモーターに提供します。このモジュールは、IGBTを内蔵した最適化されたゲートドライブを統合し、EMIと損失を最小限に抑えるとともに、低電圧ロック、過電流オフ、故障報告な…AP0101AT2L00XPGA0-DR2
ap0101at2l00xpga0-dr2は、アンセンメ半導体のメガピクセル・ハイダイナミックレンジ(HDR)センサーを使用したフレキシブルなカメラプラットフォームを実現する、自動車用画像コプロセッサです。センサーとコプロセッサのデュアルチップソリューションは、カメラの様々な価…NTHL032N065M3S
NTHL032N065M3Sは650V炭化ケイ素(SiC) MOSFETです。新しい650V M3SフラットSiC MOSFETシリーズは、高速スイッチアプリケーションに最適化されています。プレーン技術は、負のゲート電圧駆動と一緒に確実に動作し、ゲートのピナクルを閉じます。同シリーズは18Vゲート駆動…NTH4L032N065M3S
NTH4L032N065M3SはEliteSiC、32 mohm、650 V、M3S平面SiC MOSFETです。この650V炭化シリコン(SiC) MOSFETは、シリコンデバイス(Si)に比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を提供します。650V SiC MOSFETは、低オン抵抗でコンパクトなチップサイズを採用し、低キャパ…NTBG032N065M3S
NTBG032N065M3Sは新しい650V M3SフラットSiC MOSFETシリーズのデバイスで、高速スイッチングアプリケーションのために最適化されています。プレーン技術は、負のゲート電圧駆動と一緒に確実に動作し、ゲートのピナクルを閉じます。同シリーズは18Vゲート駆動時に最適な性…連絡先電話:86-755-83294757
企業QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
サービス時間:9:00-18:00
連絡先メールボックス:sales@hkmjd.com
会社の住所:広東省深圳市福田区振中路国利ビル1239~1241号室
CopyRight©2022 明佳達著作権の所有 広東ICP備05062024号-12
公式QRコード
友情リンク: