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組み込みおよびネットワーク・プロセッサ

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単価

操作

MSCSM70AM10CT3AG

製品の説明:700V/フェーズ・レグ/SiC MOSFETモジュール

パッヶージ:SP3F
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IDWD120E120D7

製品の説明:ソフトスイッチ1200 V、エミッタ制御7シリコンダイオードto-247-2です。

パッヶージ:TO-247-2
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R140M1HXTMA1

製品の説明:TO-263-7パッケージのCoolSiC™ 1200V SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R060M1HXTMA1

製品の説明:TO-263-7パッケージのCoolSiC™ 1200V SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R350M1HXTMA1

製品の説明:TO-263-7パッケージのCoolSiC™ 1200V SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG120R030M1HXTMA1

製品の説明:TO-263-7パッケージのCoolSiC™ 1200V SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R030M1HXKSA1

製品の説明:TO247-3パッケージのCoolSiC™ 1200V SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW120R020M1HXKSA1

製品の説明:TO247-3パッケージのCoolSiC™ 1200V、20mΩ SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZ120R030M1HXKSA1

製品の説明:TO247-4パッケージのCoolSiC™ 1200V SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R007M1HXKSA1

製品の説明:TO247-4パッケージのCoolSiC™ 1200V、7mΩ SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA120R020M1HXKSA1

製品の説明:TO247-4パッケージのCoolSiC™ 1200V、20mΩ SiCトレンチMOSFETトランジスタ

パッヶージ:TO-247-4
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
VS-3C08EV07T-M3/I

製品の説明:ダイオード 650 V 8A 面実装SlimDPAK

パッヶージ:TO-252-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GCMX020B120S1-E1

製品の説明:スタンド取付Nチャンネル1200 V 113A (t) 395W (t) sot-227

パッヶージ:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GCMX005A120S7B1

製品の説明:ハーフブリッジMOSFETアレイ1200V 1.042kW (Tc)台設置です

パッヶージ:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GCMX010A120B3B1P

製品の説明:ハーフブリッジMOSFETアレイ1200V 173A (Tc) 577W (Tc)スタンド設置です

パッヶージ:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
GCMX005A120B3B1P

製品の説明:ハーフブリッジMOSFET -アレイ1200V 383Aスタンド設置です

パッヶージ:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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